還記得之前一期推送，我們介紹了西克超高頻讀寫器內部讀取邏輯么？（點擊藍字回顧往期文章）

　　我們在之前的推送介紹過，除了市面常見讀寫器讀寫功能外，西克讀寫器還配備了強大的標簽和數據處理功能，用來輔助對標簽信息進行多次過濾和加工，從而減少上位機的工作量。

　　當我們在面對實際的應用時候，我們不僅可以利用這個強大的數據處理功能，我們也可以合理利用超高頻現有規范，來改善讀取效果。

　　今天，就讓我們開始進行新的硬核討論：讓我們透視下EPC Class1 Gen 2，也就是我們常說的ISO18000-6C協議規范里有哪些玄機。

　　在2004年EPC Global組織聯合全球數十個頂尖科技企業，在經過多次更新后發布的EPC Class1 Generation 2（簡稱Gen2）空中接口協議硬件標準，一年半后ISO經過核準將其寫入了ISO18000-6標準，并作為C類也就是超高頻RFID標準。

　　該標準無論是在硬件通用性，技術性能以及成本和可拓展性上都具有較大的優勢。既然是通用標準，了解其中通訊規則會對我們實施超高頻項目中起到很大的“避坑”作用。

　　我們今天了先解下幾個關鍵信息：

　　盤存 Inventory

　　超高頻讀寫器在工作時候，會通過無線電載波向外發出訊號并開始執行盤存過程，這一步會包含多種命令，只有當這一步順利完成時候，射頻范圍內的可讀標簽才能夠被正確讀取，反之則無法正確讀取。這也是包括西克在內大多數超高頻閱讀器開始工作的關鍵一步。

　　西克讀寫器在默認出場時候已經配置好適用于大多數場景的盤存算法設置（Inventory-algorithm），用戶也可根據實際需求直接使用可視化頁面進行高階配置。

　　詢問命令 Query

　　該命令是6C標準中的關鍵命令，正是因為這個命令超高頻6C標準才能夠實現多標簽“防碰撞”的讀取效果，從而大批量讀取標簽。在6C標準下的讀寫器使用的是半雙工通訊方式，也就是由讀寫器主動發起通信，而后標簽返回信息，你一句我一句往復完成通訊的。

　　在閱讀器發送Query命令時候，會自帶一個參數Q，這個Q的值決定了整個射頻系統的清點效率。為什么這么說？按照協議描述，Q的值可以設定為0~15的整數，標簽收到命令后會從0~2Q隨機產生一個數字作為標簽的應答槽。

　　讀寫器可以讓標簽應答槽中的數字不斷變小直至為0，此時標簽返回一個16位的隨機數（RN16）與讀寫器通訊。我們可以理解為標簽會有一個隨即響應概率，該值為

　　由此可見合適的Q值對于多標簽的讀取效率有很大關系。

　　例如Q為0時候，那么隨機數只能為1，如果出現多標簽的時候就會發生沖突，多標簽就無法讀取；又如環境中有5個標簽，Q值設置為10，則會有1024個槽計數器，理論上需要數1024次才能盤存出這5個標簽，效率就又太低。阿杰也會在后續文章和大家討論Q算法。

　　但是需要記住，西克讀寫器可以直接在可視化界面對Q值進行定義。

　　讀寫器與標簽響應過程

　　我們參考協議中單標簽響應過程：

　　在讀寫過程中每次均為讀寫器發出清點命令（Query/QueryAjust/QueryReq）獲取標簽的16位隨機數（RN16），此數值代表了標簽在此次清點過程中的身份信息，讀寫器獲得該隨機數后發送ACK命令（Acknowledge）進而獲取標簽的編碼信息，包括PC，常用的EPC和CRC值。

　　到此為止，讀寫器獲取的EPC信息已經可以滿足用戶進行使用，如果用戶需要對標簽的其他數據區進行操作，讀寫器會再發送一次Req_RN（Request Random Number）指令，也就是再做身份信息獲取動作，然后標簽再返回RN16，然后讀寫器再進行讀寫或者鎖殺等操作。

　　這也是為什么我們建議通常進行托盤追溯或非大容量應用中，我們建議使用EPC作為被標記物的信息儲存區，因為這樣可以大大加快讀取速度。

　　會話層 Session

　　這是一個非常有趣的參數，我們首先看下協議中對于這個參數的解釋是什么：

　　阿杰嘗試多次在實戰中反復理解這段話，總結下就是：Session就是標簽讀寫時候的跳轉條件，目標是將射頻覆蓋區域內所有標簽全部盤存到，用戶可以針對不同場景選用不同會話層來實現不同盤存方式進而高效率盤存。需要注意的是這里的Session和后續的Session SL是兩個不同概念。

　　我們看下協議中的這個圖：

　　每個標簽進入射頻區域后都會有4個會話層，每個會話層都有兩個狀態A和B，默認初始狀態為A，在標簽響應ACK命令后狀態會被更改為B，當標簽離開射頻區域后，或按照IC種類不同達到一定時間后狀態又會變為A。

　　首先假設標簽已經被放入了射頻區域內，那么此時狀態一定是A，我們先在舉例幾個場景：

　　S0條件下，所有標簽一旦離開射頻區域內，狀態則會立刻變為A；如果標簽不離開射頻區域，則標簽一定會是B狀態，如果讀寫器一直找不到A狀態標簽，則可以理解為標簽均為B狀態，也就是讀寫器完成了本盤存。

　　S1條件下，標簽從A狀態變為B狀態開始計時，500ms~5s后狀態會自動轉變為A，無論標簽是不是在射頻場內這個狀態更改必定會發生。

　　S2和S3條件下，當標簽離開射頻區域內開始計時，至少2s后標簽返回A狀態。這里的時間取決于IC廠家設計的不同。

　　可見不同的條件標簽的盤存效率會有不同，需要針對不同場景進行優化以達到可靠的讀取效果，例如S2和S3就是用于超大量標簽盤存，S0就比較適合單標簽應用等。

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