三菱電機集團近日（2025年6月10日）宣布與GE Vernova公司（美國馬薩諸塞州劍橋）簽署諒解備忘錄，強化雙方在高壓直流（HVDC）輸電系統(tǒng)用功率半導體領(lǐng)域的合作。該協(xié)議源于日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)?。∕ETI）與GE Vernova共同發(fā)起的"日美能源安全保障與供應鏈合作強化工作組"倡議，旨在促進兩國企業(yè)深化協(xié)作。

為支持全球脫碳目標，風能、太陽能等可再生能源發(fā)電系統(tǒng)的部署正在全球范圍加速擴展。相較于交流輸電系統(tǒng)，能夠更穩(wěn)定高效地實現(xiàn)大容量電力遠距離傳輸?shù)母邏褐绷鬏旊娤到y(tǒng)需求因此持續(xù)增長。其中基于電壓源換流器（VSC）的高壓直流輸電系統(tǒng)尤為矚目，即使與輸出不穩(wěn)定的可再生能源發(fā)電系統(tǒng)配合使用，仍能有效穩(wěn)定電網(wǎng)并實現(xiàn)大容量電力高效遠距離傳輸，其全球市場規(guī)模正快速擴大。三菱電機在VSC型高壓直流輸電系統(tǒng)用功率半導體領(lǐng)域的市場份額處于全球前列，并且正持續(xù)推進兼具高可靠性、高耐壓與大電流等級的絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的研發(fā)工作，未來將通過提升產(chǎn)能，滿足快速擴張的市場需求，進一步拓展高壓直流輸電系統(tǒng)業(yè)務(wù)。

根據(jù)本次簽署的備忘錄，三菱電機將為GE Vernova的VSC型高壓直流輸電系統(tǒng)穩(wěn)定持續(xù)地供應IGBT功率半導體。通過與GE Vernova加強技術(shù)及戰(zhàn)略協(xié)作，整合雙方專業(yè)優(yōu)勢，共同推動電網(wǎng)升級，滿足日益增長的電力需求。