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        新聞詳情

        ROHM開(kāi)發(fā)出適用于AI服務(wù)器48V電源熱插拔電路的100V功率MOSFET

        ~兼具更寬SOA范圍和更低導(dǎo)通電阻,被全球知名云平臺(tái)企業(yè)認(rèn)證為推薦器件~

        http://www.kblhh.cn 2025-06-03 15:08 來(lái)源:羅姆半導(dǎo)體

        全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,開(kāi)發(fā)出100V耐壓的功率MOSFET*1“RY7P250BM”,是AI服務(wù)器的48V電源熱插拔電路*2以及需要電池保護(hù)的工業(yè)設(shè)備電源等應(yīng)用的理想之選。

        RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET,預(yù)計(jì)該尺寸產(chǎn)品未來(lái)需求將不斷增長(zhǎng),可以輕松替代現(xiàn)有產(chǎn)品。另外,新產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了更寬SOA范圍*3(條件:VDS=48V、Pw=1ms/10ms)和更低導(dǎo)通電阻(RDS(on))*4,由此既可確保熱插拔(電源啟動(dòng))工作時(shí)的更高產(chǎn)品可靠性,又能優(yōu)化電源效率,降低功耗并減少發(fā)熱量。

        為了兼顧服務(wù)器的穩(wěn)定運(yùn)行和節(jié)能,熱插拔電路必須具有較寬的SOA范圍,以承受大電流負(fù)載。特別是AI服務(wù)器的熱插拔電路,與傳統(tǒng)服務(wù)器相比需要更寬的SOA范圍。RY7P250BM的SOA在脈寬10ms時(shí)可達(dá)16A、1ms時(shí)也可達(dá)50A,實(shí)現(xiàn)業(yè)界超優(yōu)性能,能夠應(yīng)對(duì)以往MOSFET難以支持的高負(fù)載應(yīng)用。

        RY7P250BM是具有業(yè)界超寬SOA范圍的MOSFET,并且實(shí)現(xiàn)了更低導(dǎo)通電阻,從而大幅降低了通電時(shí)的功率損耗和發(fā)熱量。具有寬SOA范圍的普通8×8mm尺寸100V耐壓MOSFET的導(dǎo)通電阻絕大多數(shù)約為2.28mΩ,而RY7P250BM的導(dǎo)通電阻則降低了約18%——僅有1.86mΩ(條件:VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃)。這種低導(dǎo)通電阻有助于提升服務(wù)器電源的效率、減輕冷卻負(fù)荷并降低電力成本。

        與此同時(shí),RY7P250BM還被全球知名云平臺(tái)企業(yè)認(rèn)證為推薦器件,預(yù)計(jì)未來(lái)將在AI服務(wù)器領(lǐng)域得到更廣泛的應(yīng)用。在注重可靠性與節(jié)能的服務(wù)器領(lǐng)域中,RY7P250BM更寬SOA范圍與更低導(dǎo)通電阻的平衡在云應(yīng)用中得到了高度好評(píng)。

        新產(chǎn)品已經(jīng)暫以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)(樣品價(jià)格800日元/個(gè),不含稅)。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.(日本滋賀工廠),后道工序的生產(chǎn)基地為OSAT(泰國(guó))。另外,新產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始通過(guò)電商進(jìn)行銷售,通過(guò)電商平臺(tái)均可購(gòu)買(mǎi)。

        未來(lái),ROHM將繼續(xù)擴(kuò)大適用于服務(wù)器和工業(yè)設(shè)備48V電源的產(chǎn)品陣容,通過(guò)提供效率高且可靠性高的解決方案,為建設(shè)可持續(xù)ICT基礎(chǔ)設(shè)施和節(jié)能貢獻(xiàn)力量。

        <開(kāi)發(fā)背景>

        隨著AI技術(shù)的飛速發(fā)展,數(shù)據(jù)中心的負(fù)載急劇增加,服務(wù)器功耗也逐年攀升。特別是隨著配備生成式AI和高性能GPU的服務(wù)器日益普及,如何兼顧進(jìn)一步提升電力效率和支持大電流這兩個(gè)相互沖突的需求,一直是個(gè)難題。在此背景下,相較傳統(tǒng)12V電源系統(tǒng)具有更高轉(zhuǎn)換效率的48V電源系統(tǒng)正在加速擴(kuò)大應(yīng)用。另外,在服務(wù)器運(yùn)行狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)模塊更換的熱插拔電路中,需要兼具更寬SOA范圍和更低導(dǎo)通電阻的MOSFET,以防止浪涌電流*5和過(guò)載時(shí)造成損壞。新產(chǎn)品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同時(shí)具備業(yè)界超寬SOA范圍和超低導(dǎo)通電阻,有助于降低數(shù)據(jù)中心的功率損耗、減輕冷卻負(fù)荷,從而提升服務(wù)器的可靠性并實(shí)現(xiàn)節(jié)能。

        <產(chǎn)品主要特性>

        <應(yīng)用示例>

        ・AI(人工智能)服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的48V系統(tǒng)電源熱插拔電路

        ・工業(yè)設(shè)備48V系統(tǒng)電源(叉車、電動(dòng)工具、機(jī)器人、風(fēng)扇電機(jī)等)

        ・AGV(自動(dòng)導(dǎo)引車)等電池驅(qū)動(dòng)的工業(yè)設(shè)備

        ・UPS、應(yīng)急電源系統(tǒng)(電池備份單元)

        <電商銷售信息>

        發(fā)售時(shí)間:2025年5月起

        新產(chǎn)品在其他電商平臺(tái)也將逐步發(fā)售。

        產(chǎn)品型號(hào):RY7P250BM

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