1. 核心設計目標與挑戰
陶瓷基板COB載具主要用于芯片貼裝(Die Bonding - 共晶/銀燒結)、引線鍵合(Wire Bonding)、光學檢測和老化測試等關鍵制程。
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超高溫穩定性:共晶焊接或銀燒結工藝溫度遠高于普通SMT,通常在250°C - 350°C之間。載具材料必須在此溫度下長期工作而不變形、不退化、不釋放污染物。
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的熱管理:既要能在高溫工藝中快速升溫(熱容量小),又要能在測試中高效散熱(導熱性好),設計矛盾突出。
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超高精度與平整度:陶瓷基板本身非常平整,載具的平整度必須更高,以確保芯片焊接和鍵合的均勻性,精度常要求在±5μm以內。
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化學惰性與超高潔凈度:載具不能與助焊劑、燒結膏等發生任何反應,不能釋放任何可能污染焊點或芯片表面的氣體和顆粒。
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抗熱震性(Thermal Shock Resistance):必須能承受反復的急劇升溫和冷卻。
2. 關鍵設計要素與技術方案
2.1 材料選擇:耐高溫是首要前提
普通鋁合金和工程塑料在此完全失效。可選材料梯隊如下:
材料 |
使用溫度 |
特點與應用建議 |
石墨(Graphite) |
>500°C(真空/惰性氣體) |
選擇之一。***的熱穩定性、高導熱、低熱容、CTE小。但在空氣中易氧化,需在氮氣氛圍或真空環境下使用。 |
碳化硅(SiC) |
>1600°C |
性能之選。硬度高、導熱性好(~270 W/m·K)、化學性質***穩定。但成本極高、加工難度***。 |
殷鋼(Invar) |
~400°C |
CTE極低(~1.6×10??/°C),可確保與陶瓷基板在熱脹冷縮時同步,避免應力。但重量大、成本高。 |
鈦合金(如TC4) |
~500°C |
強度高、重量輕、耐腐蝕。導熱性較差(~7 W/m·K),適合作為結構件而非直接接觸熱源。 |
高溫合金(如因康鎳合金Inconel) |
~1000°C |
高溫強度極好,但重量大、成本高、加工難,通常用于***環境。 |
結論:對于大多數高溫COB工藝,【高純度等靜壓石墨】是性價比和性能綜合的選擇。
2.2 真空吸附系統
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精細真空孔設計:使用激光鉆孔加工出微米級的吸附孔陣列。孔位需避開基板下方的敏感電路和焊盤。
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多區域獨立控制:將真空區域劃分為多個小型獨立單元,允許同時放置不同尺寸的陶瓷基板,提高設備利用率。
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高溫密封:在真空槽內嵌入高溫硅膠條或石墨箔作為密封材料,替代常溫下的橡膠密封圈。
2.3 精準定位與對位
2.4 熱管理策略
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對于封裝工藝(如共晶焊):
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對于測試工藝(老化測試):
2.5 表面處理與潔凈度
3. 典型應用場景工作流程(以共晶焊為例)
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準備:在氮氣保護環境中,將涂有共晶焊料的陶瓷基板通過真空吸附固定在石墨載具上。
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放置:通過精密陶瓷定位銷和機器視覺,將LED芯片***放置在每個焊盤上。
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工藝:將整個載具傳送至共晶焊爐(回流爐或真空共晶爐)中。
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加熱:在氮氣或真空氛圍下,按工藝曲線加熱至共晶溫度(如280°C)以上,焊料熔化形成合金,實現芯片與基板的牢固連接。
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冷卻:完成后冷卻至室溫。
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轉移:將完成固晶的基板從載具上取下,進入下一道鍵合工序。
4. 總結:陶瓷基板載具的特殊性
陶瓷基板COB載具是材料科學和精密工程在***條件下的體現。
特性 |
普通金屬基板COB載具 |
陶瓷基板COB載具 |
工作溫度 |
室溫 ~ 150°C |
250°C ~ 350°C+ |
核心材料 |
鋁合金 |
高純度石墨、碳化硅、殷鋼 |
工作環境 |
空氣 |
氮氣(N?)、真空(Vacuum)、甲酸氣體 |
精度要求 |
±10-25μm |
±1-5μm |
潔凈度 |
高 |
超高(半導體級) |
結論:
這類載具的設計和制造門檻極高,其選擇嚴重依賴于具體的封裝工藝和氛圍要求。石墨載具是高溫、高精度應用的主流選擇,但必須注意其使用的大氣環境。通常需要與專業的高溫治具供應商合作,他們不僅提供產品,更能提供整套的工藝氛圍解決方案。熱仿真(FEA) 和氣流仿真(CFD) 對于設計其加熱和冷卻過程至關重要。

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