書接上回，昨天小揚(yáng)給大家整理了晶振圈里的名詞解釋，今天分享下半部分，瞧仔細(xì)咯~~

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10、等效電阻

等效電阻（ESR，Rr，R1），又稱諧振電阻。在規(guī)定條件下，石英晶體諧振器不串聯(lián)負(fù)載電容在諧振頻率時(shí)的電阻。

11、激勵功率電平

晶體工作時(shí)所消耗功率的表征值，AT切晶體激勵電平的增大，其頻率變化是正的。激勵電平過高會引起非線性效應(yīng)，導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩，嚴(yán)重?zé)犷l漂，過應(yīng)力頻漂及電阻突變。當(dāng)激勵電平過低時(shí)則會造成起振阻力不易克服、工作不良及指標(biāo)的不穩(wěn)定。

12、激勵電平相關(guān)性

又稱激勵電平依賴性，為晶體元件諧振電阻隨激勵電平條件變化的效應(yīng)。當(dāng)加在晶體元件上的激勵電平改變時(shí)，其諧振電阻也隨之變化，該變化在一般情況下有一定規(guī)律，可用兩個(gè)激勵電平所對應(yīng)的兩個(gè)電阻之比表示，其表達(dá)式為：DLD＝Rr1/Rr2（Rr1－為較低激勵電平時(shí)的電阻，Rr2－為較高激勵電平時(shí)的電阻）。

13、絕緣電阻

指晶振的各個(gè)引腳之間，或者引腳與外殼之間的電阻值。簡單來說，它反映了晶振內(nèi)部絕緣性能的好壞。絕緣電阻越大，說明晶振的絕緣性能越好，漏電流越小，能夠有效防止信號干擾和電氣短路。

14、基頻

晶振在最低階振動模式下產(chǎn)生的頻率，也就是它的“主振動頻率”。

基頻是晶振最基礎(chǔ)、最主要的振動頻率，其他振動模式（如泛音）都是基于基頻的倍數(shù)或衍生。基頻決定了晶振的核心工作頻率。

15、泛音

泛音是晶振機(jī)械振動中產(chǎn)生的高階諧波頻率。接近基頻整數(shù)倍（如3倍、5倍、7倍、9倍）等，但并不完全相等。

例如，3次泛音的頻率接近基頻的3倍，但會略低一些。泛音的存在使得晶振能夠在更高的頻率下工作。

16、等效電路

石英晶體諧振器的振動實(shí)質(zhì)上是一種機(jī)械振動，可以被一個(gè)具有電子轉(zhuǎn)換性能的兩端網(wǎng)絡(luò)測出。這個(gè)回路包括L1、C1，同時(shí)C0作為一個(gè)石英晶體的絕緣體的電容被并入回路，與彈性振動有關(guān)的阻抗R1是在諧振頻率時(shí)石英晶體諧振器的諧振阻抗。

17、負(fù)性阻抗

負(fù)性阻抗是指從石英晶振的兩個(gè)引腳向振蕩電路看過去時(shí)，電路在振蕩頻率下的阻抗特性。它不是晶振本身的參數(shù)，而是振蕩電路的重要特性。為了提高電路的起振能力，需要增大電路中的負(fù)性阻抗。如果負(fù)性阻抗不足，電路可能難以起振。通常，負(fù)性阻抗的值應(yīng)達(dá)到晶振諧振阻抗的5-10倍，以確保電路穩(wěn)定工作。

18、年老化率

以年為衡量單位，在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對變化。頻率變化最大是在晶體頻率組件生產(chǎn)完后的第一個(gè)月，之后頻率隨時(shí)間的變化就會減少。導(dǎo)致此老化的原因很多，如：密封特性和完整性、制造工藝、材料類型、工作溫度和頻率。