Mosfet檢測(cè)試分析  低價(jià)優(yōu)惠  華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

“華則檢測(cè)”專業(yè)的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)

Mosfet檢測(cè)試分析_低價(jià)優(yōu)惠_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA：“華則檢測(cè)”專業(yè)的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)。具有CNAS和CMA認(rèn)證資質(zhì)，擁有多個(gè)設(shè)備一流、水平先進(jìn)、專業(yè)人員、制度規(guī)范的大型綜合“第三方公正檢測(cè)實(shí)驗(yàn)單位”，對(duì)外提供檢測(cè)測(cè)試和驗(yàn)證等服務(wù)。

Mosfet檢測(cè)試分析_低價(jià)優(yōu)惠_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA：“華則檢測(cè)”主要業(yè)務(wù)包含功率器件參數(shù)檢測(cè)、半導(dǎo)體可靠性檢測(cè)、半導(dǎo)體環(huán)境老化試驗(yàn)分析、應(yīng)用級(jí)系統(tǒng)分析、半導(dǎo)體失效分析、車用分立器件可靠性測(cè)試認(rèn)證、車用功率模塊可靠性測(cè)試認(rèn)證、力學(xué)實(shí)驗(yàn)、氣候環(huán)境實(shí)驗(yàn)等領(lǐng)域，

Mosfet檢測(cè)試分析_低價(jià)優(yōu)惠_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMAMosfet檢測(cè)試分析_低價(jià)優(yōu)惠_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

服務(wù)目錄

Mosfet檢測(cè)試分析_低價(jià)優(yōu)惠_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

一、失效分析測(cè)試·Mosfet檢測(cè)試分析_低價(jià)優(yōu)惠_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

(1) 檢測(cè)項(xiàng)目：開短路檢測(cè) 4

(2) 檢測(cè)項(xiàng)目：漏電檢測(cè) 4

(3) 檢測(cè)項(xiàng)目：產(chǎn)品外觀或形貌確認(rèn) 4

(4) 檢測(cè)項(xiàng)目：尺寸測(cè)量 4

(5) 檢測(cè)項(xiàng)目：超聲波檢測(cè)(SAT) 4

(6) 檢測(cè)項(xiàng)目：X-ray檢測(cè) 5

(7) 檢測(cè)項(xiàng)目：推拉力檢測(cè) 5

(8) 檢測(cè)項(xiàng)目：有害物質(zhì)檢測(cè) 5

(9) 檢測(cè)項(xiàng)目：剖面分析 5

(10) 檢測(cè)項(xiàng)目：樣品開封 5

二、電學(xué)檢測(cè) ·Mosfet檢測(cè)試分析_低價(jià)優(yōu)惠_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

(1) 檢測(cè)項(xiàng)目：直流參數(shù) 6

(2) 檢測(cè)項(xiàng)目：雪崩能量 6

(3) 檢測(cè)項(xiàng)目∶柵極電阻 6

(4) 檢測(cè)項(xiàng)目：開關(guān)時(shí)間（器件級(jí)） 6

(5) 檢測(cè)項(xiàng)目：開關(guān)時(shí)間（模塊級(jí)） 6

(6) 檢測(cè)項(xiàng)目：反向恢復(fù)（模塊級(jí)） 6

(7) 檢測(cè)項(xiàng)目：反向恢復(fù)（器件級(jí)） 6

(8) 檢測(cè)項(xiàng)目：柵極電荷（模塊級(jí)） 7

(9) 檢測(cè)項(xiàng)目：柵極電荷（器件級(jí)） 7

(10) 檢測(cè)項(xiàng)目：短路耐量能力（模塊級(jí)） 7

(11) 檢測(cè)項(xiàng)目：短路耐量能力（器件級(jí)） 7

(12) 檢測(cè)項(xiàng)目：結(jié)電容 7

(13) 檢測(cè)項(xiàng)目：熱阻性能（器件級(jí)） 7

(14) 檢測(cè)項(xiàng)目：熱阻性能（模塊級(jí)） 7

(15) 檢測(cè)項(xiàng)目：參數(shù)曲線掃描 8

(16) 檢測(cè)項(xiàng)目：ESD能力 8

(17) 檢測(cè)項(xiàng)目：正向浪涌能力 8

三、應(yīng)用系統(tǒng)檢測(cè) ·Mosfet檢測(cè)試分析_低價(jià)優(yōu)惠_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

(1) 檢測(cè)項(xiàng)目：電氣參數(shù) 9

(2) 檢測(cè)項(xiàng)目：保護(hù)功能測(cè)試 9

(3) 檢測(cè)項(xiàng)目：元器件應(yīng)力測(cè)試 9

(4) 檢測(cè)項(xiàng)目：電氣/抗電強(qiáng)度測(cè)試 9

(5) 檢測(cè)項(xiàng)目：絕緣電阻測(cè)試 10

(6) 檢測(cè)項(xiàng)目：接地電阻測(cè)試 10

(7) 檢測(cè)項(xiàng)目：低溫測(cè)試 10

(8) 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫測(cè)試 10

(9) 檢測(cè)項(xiàng)目：高加速壽命/應(yīng)力測(cè)試 10

(10) 檢測(cè)項(xiàng)目：靜電放電抗擾度測(cè)試 10

(11) 檢測(cè)項(xiàng)目：雷擊浪涌抗擾度測(cè)試 10

(12) 檢測(cè)項(xiàng)目：電源端子騷擾電壓/傳導(dǎo)測(cè)試 11

四、可靠性測(cè)試 ·Mosfet檢測(cè)試分析_低價(jià)優(yōu)惠_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

(1) 檢測(cè)項(xiàng)目：功率循環(huán)齷 (PC) 12

(2) 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫門極試驗(yàn)(HTGB) 12

(3) 檢測(cè)項(xiàng)目：低溫工作壽命試驗(yàn)(LTOL) 12

(4) 檢測(cè)項(xiàng)目：低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(LTSL) 12

(5) 檢測(cè)項(xiàng)目：高低溫循環(huán)試驗(yàn)(TC) 12

(6) 檢測(cè)項(xiàng)目：穩(wěn)態(tài)功率試驗(yàn)(SSOL) 12

(7) 檢測(cè)項(xiàng)目：無偏壓的高加速應(yīng)力試驗(yàn)(UHAST) 13

(8) 檢測(cè)項(xiàng)目：預(yù)處理試驗(yàn)(Pre-con) 13

(9) 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫反偏試驗(yàn)(HTRB) 13

(10) 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫工作壽命試驗(yàn)(HTOL) 13

(11) 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(HTSL) 13

(12) 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫高濕試驗(yàn)(THB) 13

(13) 檢測(cè)項(xiàng)目：間歇壽命試驗(yàn)(IOL)功率循試驗(yàn)(PC) 13

(14) 檢測(cè)項(xiàng)目：高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HAST) 14

(15) 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫蒸煮試驗(yàn)(PCT) 14

(16) 檢測(cè)項(xiàng)目：潮氣敏感度等級(jí)試驗(yàn)(MSL) 14

(17) 檢測(cè)項(xiàng)目：可焊性試驗(yàn)(Solderability) 14

一、失效分析測(cè)試·Mosfet檢測(cè)試分析_低價(jià)優(yōu)惠_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

1. 檢測(cè)項(xiàng)目：開短路檢測(cè)

• 覆蓋產(chǎn)品：IC
• 檢測(cè)能力：滿足128pin及以下引腳IC的open/short測(cè)試、曲線跟蹤分析、漏電流測(cè)試；最大電壓7V，電壓精度1mV，最大電流 500mA，電礪度 10nA；
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶要求

2. 檢測(cè)項(xiàng)目：漏電檢測(cè)

• 覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力：具有EMMI (微光)和TIVA (激光誘導(dǎo))兩種偵測(cè)方 式；加電方式A：電壓20mV-200V，電流10nA-1A，電流精度 10fA；加電方式B：最大電壓3000V，最大電流5A。
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶要求

3. 檢測(cè)項(xiàng)目：產(chǎn)品外觀或形貌確認(rèn)

• 覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力：立體成像/最大45倍；金相成像/最大1000倍；數(shù)碼成像/最大6000倍；
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶要求

4. 檢測(cè)項(xiàng)目：尺寸測(cè)量

• 覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力：立體成像/最大45倍；金相成像/最大1000倍；數(shù)碼成像/最大6000倍；
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶要求

5. 檢測(cè)項(xiàng)目：超聲波檢測(cè)(SAT)

• 覆蓋產(chǎn)品∶ IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力∶具有分層面積百分比計(jì)算，缺陷尺寸標(biāo)識(shí)，厚度與距離測(cè)量等功能�？蛇M(jìn)行A-scan（點(diǎn)掃描）、B-scan（縱向掃描）、 C-scan（橫向掃描）、Through-scan（透射掃描）。
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶國(guó)軍標(biāo)

6. 檢測(cè)項(xiàng)目：X-ray檢測(cè)

• 覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力：最高分辨率0.5um。具有空洞面積百分比計(jì)算，缺陷尺寸標(biāo)識(shí)，厚度與距離測(cè)量等功能�？蛇M(jìn)行二維掃描、三維CT掃描。
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)軍標(biāo)

7. 檢測(cè)項(xiàng)目：推拉力檢測(cè)

• 覆蓋產(chǎn)品∶ IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力∶支持WP100和WP2.5KG二款拉力測(cè)試頭，測(cè)試范圍0- 2.5Kg;支持BS250、BS5KG和DS100KG三款推力測(cè)試頭，測(cè)試范圍0-100Kg，推刀接受面寬0-8891um。
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶ 國(guó)軍標(biāo)

8. 檢測(cè)項(xiàng)目：有害物質(zhì)檢測(cè)

• 覆蓋產(chǎn)品∶IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力∶ 支持鉛（Pb）、鎘（Cd）、汞（Hg）、六價(jià)鉻（Cr6+）、多溴聯(lián)苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE），以及鹵素等其他化學(xué)元素的檢測(cè)。主要元素Pb/Cd/Hg/Cr/Br最低檢測(cè)限可達(dá)2ppm。
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶ IEC

9. 檢測(cè)項(xiàng)目：剖面分析

• 覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力：金相樣品制備、樣品觀察、樣品染色。
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶要求

10. 檢測(cè)項(xiàng)目：樣品開封

• 覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力：激光開封、化學(xué)開封、樣品剝層。
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶要求

二、電學(xué)檢測(cè)·Mosfet檢測(cè)試分析_低價(jià)優(yōu)惠_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

1. 檢測(cè)項(xiàng)目：直流參數(shù)

• 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產(chǎn)品；
• 檢測(cè)能力：檢測(cè)最大電壓7500V檢測(cè)最大電流6000A
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC

2. 檢測(cè)項(xiàng)目：雪崩能量

• 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
• 檢測(cè)能力：檢測(cè)最大電壓2500V檢測(cè)最大電流200A
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)

3. 檢測(cè)項(xiàng)目∶柵極電阻

• 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件
• 檢測(cè)能力∶檢測(cè)阻抗∶0.1Ω～50Ω
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶JEDEC

4. 檢測(cè)項(xiàng)目：開關(guān)時(shí)間（器件級(jí)）

• 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體單管器件；
• 檢測(cè)能力：最大電壓1200V 最大電流200A
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，IEC等

5. 檢測(cè)項(xiàng)目：開關(guān)時(shí)間（模塊級(jí)）

• 覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力：檢測(cè)最大電壓2700V檢測(cè)最大電流4000A
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC

6. 檢測(cè)項(xiàng)目：反向恢復(fù)（模塊級(jí)）

• 覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力：檢測(cè)最大電壓2700V檢測(cè)最大電流4000A
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC

7. 檢測(cè)項(xiàng)目：反向恢復(fù)（器件級(jí)）

• 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
• 檢測(cè)能力：最大電壓1200V 最大電流200A
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，IEC等

8. 檢測(cè)項(xiàng)目：柵極電荷（模塊級(jí)）

• 覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力：檢測(cè)最大電壓2700V檢測(cè)最大電流4000A
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC

9. 檢測(cè)項(xiàng)目：柵極電荷（器件級(jí)）

• 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
• 檢測(cè)能力：最大電壓1200V 最大電流200A
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，IEC等

10. 檢測(cè)項(xiàng)目：短路耐量能力（模塊級(jí)）

• 覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力：檢測(cè)最大電壓2700V，檢測(cè)最大電流10000A
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC

11. 檢測(cè)項(xiàng)目：短路耐量能力（器件級(jí)）

• 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
• 檢測(cè)能力：檢測(cè)最大電壓1200V，檢測(cè)最大電流1000A；
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，IEC等

12. 檢測(cè)項(xiàng)目：結(jié)電容

• 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體單管器件
• 檢測(cè)能力：檢測(cè)最大電壓3000V
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：IEC

13. 檢測(cè)項(xiàng)目：熱阻性能（器件級(jí)）

• 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體單管器件
• 檢測(cè)能力：功率250W
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，JEDEC

14. 檢測(cè)項(xiàng)目：熱阻性能（模塊級(jí)）

• 覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力：最大功率4000W
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，JEDEC

15. 檢測(cè)項(xiàng)目：參數(shù)曲線掃描

• 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件的l-V、C-V曲線
• 檢測(cè)能力：檢測(cè)最大電壓3000V檢測(cè)最大電流1500A溫度-70°C~180°C
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，IEC等

16. 檢測(cè)項(xiàng)目：ESD能力

• 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、IC等產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力：HBM最大電壓8000V；MM最大電壓800V
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，ANSI，JEDEC等

17. 檢測(cè)項(xiàng)目：正向浪涌能力

• 覆蓋產(chǎn)品：DIODE (Si/SiC)、整流橋；
• 檢測(cè)能力：最大電流800A
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)

三、應(yīng)用系統(tǒng)檢測(cè)·Mosfet檢測(cè)試分析_低價(jià)優(yōu)惠_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

1. 檢測(cè)項(xiàng)目：電氣參數(shù)

• 覆蓋產(chǎn)品：開關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源，低壓DC/DC電源，直流充電樁電源模塊等)、電機(jī)控制板。
• 檢測(cè)能力：低壓AC/DC電源：?jiǎn)蜗嘧畲筝斎腚妷?/span>/功率為 300V/3KVA；最大輸出電壓/功率：80V/1000W；低壓DC/DC電 源：最大輸入電壓/功率為80V/1.2KW；最大輸出電壓/功率： 80V/1000W；直流充電樁電源模塊：三相最大輸入電壓/功率為 500V/30KVA；最大輸出電壓/功率：700V/30KW；電機(jī)控制板： 直流輸入電壓/功率100V/5KW
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC，客戶要求等

2. 檢測(cè)項(xiàng)目：保護(hù)功能測(cè)試

• 覆蓋產(chǎn)品：開關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源，低壓DC/DC電源，直流充電樁電源模塊等)、電機(jī)控制板。
• 檢測(cè)能力：低壓AC/DC電源：?jiǎn)蜗嘧畲筝斎腚妷?/span>/功率為 300V/3KVA；最大輸出電壓/功率：80V/1000W；低壓DC/DC電 源：最大輸入電壓/功率為80V/1.2KW；最大輸出電壓/功率： 80V/1000W；直流充電樁電源模塊：三相最大輸入電壓/功率為 500V/30KVA；最大輸出電壓/功率：700V/30KW；電機(jī)控制板： 直流輸入電壓/功率100V/5KW
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC，客戶要求等

3. 檢測(cè)項(xiàng)目：元器件應(yīng)力測(cè)試

• 覆蓋產(chǎn)品：開關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源，低壓DC/DC電源，直流充電樁電源模塊等)、電機(jī)控制板、鋰電保護(hù)板。
• 檢測(cè)能力：最大峰值電壓：1.5KV；最大有效值/峰值電流：30A/50A；最高溫度：260°C
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：元器件規(guī)格，客戶要求等

4. 檢測(cè)項(xiàng)目：電氣/抗電強(qiáng)度測(cè)試

• 覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力：交流耐壓范圍：(0~5)KV/40mA；直流耐壓范圍：(0~6)KV/9999uA
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC，客戶要求等

5. 檢測(cè)項(xiàng)目：絕緣電阻測(cè)試

• 覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力：(100~1K)Vdc/9999mΩ
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC，客戶要求等

6. 檢測(cè)項(xiàng)目：接地電阻測(cè)試

• 覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力：30A/600mΩ
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC，客戶要求等

7. 檢測(cè)項(xiàng)目：低溫測(cè)試

• 覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力：最低溫度：-70℃
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC，客戶要求等

8. 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫測(cè)試

• 覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力：最高溫度：~180℃
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC，客戶要求等

9. 檢測(cè)項(xiàng)目：高加速壽命/應(yīng)力測(cè)試

• 覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力∶溫度范圍∶（-100～+200）℃℃;溫度上升速率∶平均（70°～100°）C/m; 加速∶（5-60）gRMS （空臺(tái)）
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶國(guó)標(biāo)，IEC，客戶要求等

10. 檢測(cè)項(xiàng)目：靜電放電抗擾度測(cè)試

• 覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力∶接觸靜電放電電壓范圍∶（±2～±8）KV空氣靜電放電電壓范圍∶（±2～±25）KV
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶國(guó)標(biāo)，IEC，客戶要求等

11. 檢測(cè)項(xiàng)目：雷擊浪涌抗擾度測(cè)試

• 覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力∶1.2/50us綜合波的開路電壓范圍∶（0.25～10）KV; 10/700us通訊波的開路電壓范圍∶（0～6）KV;輸出阻抗∶ 1.2/50us綜合波2Ω、12Ω和500Ω;10/700us通訊波15Ω和40Ω
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶國(guó)標(biāo)，IEC，客戶要求等；

12. 檢測(cè)項(xiàng)目：電源端子騷擾電壓/傳導(dǎo)測(cè)試

• 覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力：9KHz~ 30MHz
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC，客戶要求等

四、可靠性測(cè)試·Mosfet檢測(cè)試分析_低價(jià)優(yōu)惠_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

1. 檢測(cè)項(xiàng)目：功率循環(huán)齷 (PC)

• 覆蓋產(chǎn)品∶IGBT模塊
• 檢測(cè)能力∶△Tj=100℃電壓電流最大1800A，12V
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶ IEC 客戶自定義

2. 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫門極試驗(yàn)(HTGB)

• 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、SiC MOS等單管器件
• 檢測(cè)能力∶溫度最高150℃;電壓最高2000V
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

3. 檢測(cè)項(xiàng)目：低溫工作壽命試驗(yàn)(LTOL)

• 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
• 檢測(cè)能力∶溫度最低-80℃ 電壓最高2000V
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

4. 檢測(cè)項(xiàng)目：低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(LTSL)

• 覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力∶溫度最低-80℃
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶ 美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

5. 檢測(cè)項(xiàng)目：高低溫循環(huán)試驗(yàn)(TC)

• 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力∶溫度范圍∶-80℃~220℃
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

6. 檢測(cè)項(xiàng)目：穩(wěn)態(tài)功率試驗(yàn)(SSOL)

• 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
• 檢測(cè)能力∶△Tj≥100℃，電壓電流最大48V，10A
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

7. 檢測(cè)項(xiàng)目：無偏壓的高加速應(yīng)力試驗(yàn)(UHAST)

• 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力∶溫度130℃ 濕度85%
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

8. 檢測(cè)項(xiàng)目：預(yù)處理試驗(yàn)(Pre-con)

• 覆蓋產(chǎn)品∶所有SMD類型器件
• 檢測(cè)能力∶設(shè)備滿足各個(gè)等級(jí)的試驗(yàn)要求
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

9. 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫反偏試驗(yàn)(HTRB)

• 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
• 檢測(cè)能力∶溫度最高150℃; 電壓最高2000V
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

10. 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫工作壽命試驗(yàn)(HTOL)

• 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
• 檢測(cè)能力∶溫度最高150℃，電壓最高2000V
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

11. 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(HTSL)

• 覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力∶溫度最高150℃;
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

12. 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫高濕試驗(yàn)(THB)

• 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力∶溫度最高180℃ 濕度范圍∶10%~98%
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

13. 檢測(cè)項(xiàng)目：間歇壽命試驗(yàn)(IOL)功率循試驗(yàn)(PC)

• 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
• 檢測(cè)能力∶△Tj≥100℃ 電壓電流最大48V，10A
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

14. 檢測(cè)項(xiàng)目：高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HAST)

• 覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力∶ 溫度130℃/110℃ 濕度85%
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

15. 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫蒸煮試驗(yàn)(PCT)

• 覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
• 檢測(cè)能力∶溫度121℃ 濕度100%
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

16. 檢測(cè)項(xiàng)目：潮氣敏感度等級(jí)試驗(yàn)(MSL)

• 覆蓋產(chǎn)品∶所有SMD類型器件
• 檢測(cè)能力∶設(shè)備滿足各個(gè)等級(jí)的試驗(yàn)要求
• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

17. 檢測(cè)項(xiàng)目：可焊性試驗(yàn)(Solderability)

• 覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
• 檢測(cè)能力∶有鉛、無鉛均可進(jìn)行
  執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

五、其它測(cè)試·Mosfet檢測(cè)試分析_低價(jià)優(yōu)惠_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

Mosfet檢測(cè)試分析_低價(jià)優(yōu)惠_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA：“華則檢測(cè)”專業(yè)的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)。具有CNAS和CMA認(rèn)證資質(zhì)，擁有多個(gè)設(shè)備一流、水平先進(jìn)、專業(yè)人員、制度規(guī)范的大型綜合“第三方公正檢測(cè)實(shí)驗(yàn)單位”，對(duì)外提供檢測(cè)測(cè)試和驗(yàn)證等服務(wù)。

Mosfet檢測(cè)試分析_低價(jià)優(yōu)惠_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA：“華則檢測(cè)”主要業(yè)務(wù)包含功率器件參數(shù)檢測(cè)、半導(dǎo)體可靠性檢測(cè)、半導(dǎo)體環(huán)境老化試驗(yàn)分析、應(yīng)用級(jí)系統(tǒng)分析、半導(dǎo)體失效分析、車用分立器件可靠性測(cè)試認(rèn)證、車用功率模塊可靠性測(cè)試認(rèn)證、力學(xué)實(shí)驗(yàn)、氣候環(huán)境實(shí)驗(yàn)等領(lǐng)域，