壓力敏感元件是壓力傳感器、壓力變送器的核心元件。壓力能以各種方法測量，但關鍵的基本原理歸結為兩類：

1．惠斯登電橋
配置于彈性膜片上的電橋電阻，在壓力作用下發(fā)生形變，有的被拉伸，有的則被壓縮。電阻尺寸的變化引起電阻值的變化。因此電橋產(chǎn)生差動輸出信號，其值正比于施加的壓力。 惠斯登電橋可由金屬電阻或壓阻材料構成，壓阻電橋由于晶格摻雜效應以及機械變形，能提供較大輸出信號。 金屬電阻可采用多種技術將電橋固定于膜片之上。諸如粘接，硅/陶瓷融合，直接分子鍵合。
密封和充油隔離腔體由于熱膨脹系數(shù)不同而引起不希望有的熱穩(wěn)定性問題。在工作溫區(qū)內(nèi)的溫度非線性是一個大問題，工作溫區(qū)的高端和低端因此受到限制。并且存在充油腔漏油的潛在可能，這也是不希望有的。
金屬電阻的粘接或硅/陶瓷融合。無可避免的從原理上存在不穩(wěn)定現(xiàn)象。滄正傳感的壓力變送器敏感元件采用濺射工藝，在壓力介質(zhì)直接作用的17-4PH不銹鋼膜片上，以分子鍵合的方式制作出“微米”級的電阻膜。再經(jīng)過微電子工藝制作出需要的惠斯登電橋，組成全金屬型敏感元件，無任何粘貼劑和活動件，無需密封腔和充油腔，因此具有適用惡劣環(huán)境和長期穩(wěn)定性工作的特點。
2．電容式
測量兩片導電板的電容值，在壓力作用下，導電板被迫擠合，使 電容值隨壓力的變化而變化。電容式壓力傳感元件采用MEMS技術由陶瓷構成，或將金屬嵌入半導體層中。傳感元件固定于金屬/玻璃密封體或裝入充油腔中。
所有的壓阻和硅技術都存在因摻雜物質(zhì)遷移和費米能級效應而引起漂移傾向。這些影響隨著溫度的升高而增大。