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導體器件。通常它包含一個PN結，有陽極和陰極兩個端子。其結構如圖1所示。P區的載流子是空穴,N區的載流子是電子，在P區和N區間形成一定的位壘。外加使P區相對N區為正的電壓時，位壘降低，位壘兩側附近產生儲存載流子，能通過大電流，具有低的電壓降（典型值為0.7V）,稱為正向導通狀態。
若加相反的電壓,使位壘增加，可承受高的反向電壓，流過很小的反向電流（稱反向漏電流），稱為反向阻斷狀態。整流二極管具有明顯的單向導電性。整流二極管可用半導體鍺或硅等材料制造。硅整流二極管的擊穿電壓高，反向漏電流小，高溫性能良好。通常高壓大功率整流二極管都用高純單晶硅制造(摻雜較多時容易反向擊穿）。
這種器件的結面積較大，能通過較大電流（可達上千安），但工作頻率不高，一般在幾十千赫以下。整流二極管主要用于各種低頻半波整流電路，如需達到全波整流需連成整流橋使用。
整流二極管一般為平面型硅二極管，用于各種電源整流電路中。
選用整流二極管時，主要應考慮其大整流電流、大反向工作電流、截止頻率及反向恢復時間等參數。
普通串聯穩壓電源電路中使用的整流二極管，對截止頻率的反向恢復時間要求不高，只要根據電路的要求選擇大整流電流和大反向工作電流符合要求的整流二極管即可。例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。
開關穩壓電源的整流電路和脈沖整流電路中使用的整流二極管應選擇工作頻率高、反向恢復時間短的整流二極管（如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或恢復二極管。還有一種肖特基整流二極管。
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