功率器件作為半導體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術分類以及應用場景。例如，傳統(tǒng)的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產(chǎn)品經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展，占據(jù)了絕對領先的市場份額。不過，隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、儲能、手機快充等應用的興起，擁有更高耐壓等級、更高開關頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業(yè)界的持續(xù)關注。

如今，在生產(chǎn)工藝不斷優(yōu)化、成本持續(xù)降低的情況下，老牌大廠與初創(chuàng)企業(yè)紛紛加碼第三代半導體，SiC和GaN功率器件開始投入批量應用，并迎來了關鍵的產(chǎn)能爬坡階段。作為半導體制造業(yè)的關鍵參與者，業(yè)界領先的ALD設備制造商和服務商青島四方思銳智能技術有限公司日前重磅亮相2021年中國集成電路制造年會（CICD），向業(yè)界展示了ALD技術在功率半導體制造環(huán)節(jié)的創(chuàng)新應用，共同探討新開局新挑戰(zhàn)下的行業(yè)發(fā)展新機遇。

思銳智能受邀參加2021年中國集成電路制造年會

ALD與GaN相得益彰，SRII本地化布局加速中國三代半供應鏈構建

縱觀第三代半導體功率應用，GaN無疑是率先突破的細分市場。根據(jù)Yole Développement的最新調研報告，預計2026年全球GaN功率器件的市場規(guī)模將增長至11億美元，年均復合增長率達到70%，其中手機快充等消費市場是未來2-3年的主要驅動力，新能源汽車OBC充電器、工業(yè)領域逆變器、數(shù)據(jù)中心高效電源等應用則緊隨其后。

在CICD同期舉行的“功率及化合物半導體”專題論壇上，思銳智能總經(jīng)理聶翔先生在演講中表示：“面對來自市場端的巨大需求，無論是外延廠還是Fab都在積極擴建當前產(chǎn)能。思銳智能作為生產(chǎn)設備供應商，更能深切地體會到行業(yè)產(chǎn)能擴充在過去的1-2年里有著明顯的增速。對此，我們很早就推出了量產(chǎn)型ALD沉積設備——Transform™系列，廣泛布局本土功率市場，助力中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)能擴充需求。不久前，我們成功交付了一套最新的Beneq Transform™ Lite設備給到中國市場的第三代半導體龍頭客戶，幫助其加速GaN產(chǎn)線的擴建。”

聶翔闡述思銳智能在第三代半導體領域的廣泛布局

思銳智能近期成功交付Beneq TransformTM Lite設備

據(jù)了解，思銳智能的先進ALD鍍膜工藝可顯著改善GaN器件的綜合性能、并已達到量產(chǎn)化的要求。而ALD技術能夠以一個原子的厚度(0.1nm)為精度實現(xiàn)基底表面的鍍膜，這是區(qū)別于其他沉積工藝的一大優(yōu)勢，尤其是在復雜的3D結構上可實現(xiàn)高保形、高質量的薄膜生長，同時ALD具有較寬的工藝窗口，也支持多種薄膜疊層鍍膜。對于SiC、GaN等功率與化合物材料，其器件3D結構越來越復雜，對薄膜要求也越來越高，因此ALD技術成為了該領域的新寵。

產(chǎn)研合作致力創(chuàng)新落地

針對業(yè)界大熱的第三代半導體應用，思銳智能不僅在GaN器件的ALD鍍膜上實現(xiàn)了量產(chǎn)化的解決方案，也在持續(xù)挖掘ALD技術之于傳統(tǒng)硅基，SiC，GaN器件的創(chuàng)新應用潛力。例如，思銳智能旗下子公司Beneq立足于歐洲，已攜手眾多研究機構開展以上這些領域的技術合作，致力于量產(chǎn)化的創(chuàng)新。“當然，我們也非常希望能夠與國內的機構或者行業(yè)客戶一起開展聯(lián)合研發(fā)工作，通過采用基于ALD技術的創(chuàng)新應用，實現(xiàn)提升器件性能以及易于量產(chǎn)的目的。”聶翔表示。

25片8寸晶圓的batch工藝條件下的產(chǎn)能情況，基于完全真實的cycle time和GPC、WiW、WtW，指標完全滿足spec要求

與此同時，思銳智能正在不斷拓展旗下Beneq Transform™系列產(chǎn)品，進而應對愈加復雜的半導體鍍膜需求，全面對標集成電路、功率與化合物半導體和泛半導體應用。自2019年起，在歐洲，美國、日本、中國大陸和臺灣地區(qū)內全球知名的半導體客戶量產(chǎn)線上投入使用，有著充分驗證的工藝穩(wěn)定性和設備穩(wěn)定性。同時，可以提供行業(yè)最完善的成熟量產(chǎn)工藝包，涵蓋各類氧化物、氮化物等。截至目前，Transform™系列產(chǎn)品已獲得全球多個客戶的訂單。