MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析

IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析

BJT 管并聯(lián)均流技術(shù)分析

普通的功率MOSFET因為內(nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。

首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4905型PMOS管。從圖中可見此PMOS管的字符與常見的IR公司器件有較大差異，遂使用DF-80A型二極管正向壓降測試儀對此mos管進(jìn)行實際的ID-VDS曲線測試。先從官網(wǎng)下載IRF4905的ID-VDS曲線，可見當(dāng)Vgs為-6.5V時，Id約在90A時恒流。

   用二極管測試儀DF-80A連接待測MOS管，測試儀輸出正極接IRF4905的S極，測試儀的負(fù)極接IRF4905的D極，用線性穩(wěn)壓電源加電位器接到IRF4905的G極，調(diào)節(jié)電位器，使Vgs=-6.5V。

實際測試：ID掃描范圍：0-100A，測試脈寬300微秒。可得到一個奇怪的測試曲線，與數(shù)據(jù)手冊中的曲線并不一致，在85A附近類似恒流趨勢，但是隨后曲線發(fā)生轉(zhuǎn)折，變成了近似恒壓曲線。敲開該mos管發(fā)現(xiàn)，內(nèi)部晶片僅芝麻粒大小。

   從手冊上可得該P(yáng)MOS管的電流可達(dá)74A，顯然此批料為假貨。如果購料后沒經(jīng)過測試即上機(jī)，幾乎必然出現(xiàn)炸管事故。

我們再從本地電子市場購買一管IRF4905。再次用DF-80A型二極管正向特性測試儀測量ID-VDS曲線。參數(shù)同上：ID掃描范圍：0-100A，300us脈沖寬度。測量結(jié)果如下：該曲線與數(shù)據(jù)手冊的描述相符。

進(jìn)一步解剖結(jié)果顯示，該P(yáng)MOS管晶片面積大，且金屬部分呈紫銅色，與假芯片MOS管形成了鮮明對比。而且使用DF-80A型二極管正向壓降測試儀測試時，ID電流均是脈沖形式，平均功率很低，所以待測MOS管均不明顯發(fā)熱，保護(hù)器件不受損。

選定了MOS管的供應(yīng)商后將挑選參數(shù)盡量一致的MOS管。我們用16只IRF4905管并聯(lián)做并聯(lián)分流，這些MOS管源極并聯(lián)，柵極通過電阻網(wǎng)絡(luò)連接，漏極懸空待測。測試方法同上。利用該軟件的Excel數(shù)據(jù)導(dǎo)出功能，可以很方便的比較每個MOS管的特性曲線。

圖16只MOS管的ID-VDS曲線，使用Excel的繪制折線圖功能生成。該曲線清晰展示了有4只mos管的導(dǎo)通電阻小于其余的MOS管，這些MOS管工作時將流過更大的電流，易受損。因此將這四只MOS管換新后，16條ID-VDS曲線近乎完美重合，達(dá)到了并聯(lián)使用要求。