雙面接觸式電容壓力傳感器是一種常用的壓力傳感器，在多個行業中都有一定的應用。雙面接觸式電容壓力傳感器在使用的時候需要對于它的知識都有所了解，這樣在使用的過程中才會更加便利。今天小編就來為大家詳細介紹一下雙面接觸式電容壓力傳感器，希望可以幫助到大家。

雙面接觸式電容壓力傳感器有4個工作區，第Ⅰ區是正常區，梁未接觸到襯底上的絕緣層，當傳感器工作在這一段時，接觸式電容壓力傳感器與傳統的硅壓力傳感器一樣。當梁快要接近接觸點的時候，傳感器單位面積上受到的壓力與產生的電容呈非線性關系。第Ⅱ區是過渡區，梁開始接觸到襯底上的絕緣層，C-p曲線呈非線性關系，電容從梁未接觸到襯底到開始接觸襯底轉變。第Ⅲ區是線性區，梁與襯底上的絕緣層開始有效接觸，而且傳感器的電容將隨著壓力的增加而線性增大。第Ⅳ區是飽和區C-p曲線略呈非線性關系，隨著壓力的繼續增加，非線性將更明顯。

雙面接觸式電容壓力傳感器的電容由兩部分組成：一部分為梁受壓后，尚未接觸到襯底上的絕緣層時形成的電容，此電容類似于常規的電容壓力傳感器，這一部分只占接觸式電容壓力傳感器的電容量的很小一部分;另一部分是梁接觸到襯底后形成的電容，這部分電容量才是需要的電容量，而且它占主導地位，較多采用的是國產品牌電容，如三環電容、風華電容，也可選擇臺企電容巨頭——YAGEO電容(即國巨電容)作為所選電容。

當壓力增加時，梁與襯底的接觸面積增加，同時梁與襯底的非接觸部分減少。剛開始，電容主要由非接觸部分提供，隨著壓力的增加，梁開始接觸襯底的絕緣層后，非接觸部分提供的電容逐漸減少，而接觸部分提供的電容與接觸面積將呈線性增加。由于絕緣層非常薄，因此當梁開始與襯底上的絕緣層接觸后，接觸面積所提供的電容將占主導地位。

雙面接觸式電容壓力傳感器由3個硅晶片(其中有兩個晶片B是一樣的)用硅熔融法進行鍵合，先把晶片A正反兩面腐蝕兩個同樣大小的溝槽來作為傳感器的真空腔，然后在這兩個大溝槽上淀積一層二氧化硅作為絕緣層，同時把晶片A作為雙面接觸式電容壓力傳感器的公共下電極，接著把兩片用濃的固態硼擴散好的晶體B用熔融鍵合的辦法鍵合在晶片A的正反兩面，用離子刻蝕法刻蝕掉晶片B最外層的重摻雜層，緊接著用自停止腐蝕法去掉輕摻雜層，得到最里面的重摻雜層作為傳感器的上電極。對于晶片A和B，可以采用圓形、方形、矩形膜，本次設計采用圓形膜。