現(xiàn)代壓力傳感器以半導(dǎo)體傳感器的發(fā)明為標(biāo)志，而半導(dǎo)體傳感器的發(fā)展可以分為四個階段：

    （1）發(fā)明階段（1945 - 1960年）：這個階段主要是以1947年雙極性晶體管的發(fā)明為標(biāo)志。此后，半導(dǎo)體材料的這一特性得到較廣泛應(yīng)用。史密斯（C.S. Smith）與1945發(fā)現(xiàn)了硅與鍺的壓阻效應(yīng)，即當(dāng)有外力作用于半導(dǎo)體材料時，其電阻將明顯發(fā)生變化。依據(jù)此原理制成的壓力傳感器是把應(yīng)變電阻片粘在金屬薄膜上，即將力信號轉(zhuǎn)化為電信號進行測量。此階段最小尺寸大約為1cm.

    （2）技術(shù)發(fā)展階段（1960 - 1970年）：隨著硅擴散技術(shù)的發(fā)展，技術(shù)人員在硅的（001）或（110）晶面選擇合適的晶向直接把應(yīng)變電阻擴散在晶面上，然后在背面加工成凹形，形成較薄的硅彈性膜片，稱為硅杯。這種形式的硅杯傳感器具有體積小、重量輕、靈敏度高、穩(wěn)定性好、成本低、便于集成化的優(yōu)點，實現(xiàn)了金屬-硅共晶體，為商業(yè)化發(fā)展提供了可能。

    （3）商業(yè)化集成加工階段（1970 - 1980年）：在硅杯擴散理論的基礎(chǔ)上應(yīng)用了硅的各向異性的腐蝕技術(shù)，擴散硅傳感器其加工工藝以硅的各項異性腐蝕技術(shù)為主，發(fā)展成為可以自動控制硅膜厚度的硅各向異性加工技術(shù)，主要有V形槽法、濃硼自動中止法、陽極氧化法自動中止法和微機控制自動中止法。由于可以在多個表面同時進行腐蝕，數(shù)千個硅壓力膜可以同時生產(chǎn)，實現(xiàn)了集成化的工廠加工模式，成本進一步降低。

    （4）微機械加工階段（1980年-今）：上世紀末出現(xiàn)的納米技術(shù)，使得微機械加工工藝成為可能。通過微機械加工工藝可以由計算機控制加工出結(jié)構(gòu)型的壓力傳感器，其線度可以控制在微米級范圍內(nèi)。利用這一技術(shù)可以加工、蝕刻微米級的溝、條、膜，使得壓力傳感器進入了微米階段。