正電子壽命測量法用于半導體材料中空位型缺陷的測量。這是一種帶有測量裝置和電源的全壽命正電子壽命測量系統。在壽命（時間）測量系統中，時間是用3GS/s采集卡來測量的，進來信號是由兩BaF2的閃爍體產生的高速脈沖信號。在符合多普勒展寬的情況下，用兩個鍺半導體探測器符合的波高值制成二維直方圖。此外，這些設備可以用來測AMOC，這個壽命和動量相關。

Feature

●功能： Lifetime、CDB和AMOC

●ADC： 時間：2CH 3GSPS 8bit

CDB ：2CH 100MSPS 14bit

●時間分辨： FWHM（半高寬） 192ps （511keV@22Na, BaF2 閃爍體） FWHM（半高寬） 160 – 190 ps (Silica)

●能量分辨： 1.23keV（512keV@106Ru） 1.69keV(1.33MeV@60Co)

●PMT高壓 ： 2CH, -4000V 對于Ge(鍺)半導體： 2CH, +5000V ※包括前放

●接口： Ethernet （TCP/IP）

●附件包括應用指導手冊

1、組成部分

（1） 時間譜分析模塊
它是用于時間譜分析，每個通道采用高速3 GHz ADC。
輸入信號是BaF閃爍檢測器的。
DSP內置的時差分析功能。
（2）DSP多通道分析儀模塊
它是一個多通道分析儀，配備了用于伽馬射線光譜的數字信號處理（DSP）功能。直接輸入來自Ge半導體檢測器的前置放大器的輸出信號。
采樣率100 MSPS，ADC增益最大為8192。
（3）前置放大器電源模塊
前置放大器電源用于Ge半導體探測器。
通過D-sub 9針連接器供應±24 V（50 mA）和±12 V（50 mA）供電。
連接器的引腳排列符合NIM標準。
（4）高壓電源模塊
它是兩個BaF 2閃爍探測器和兩個Ge半導體探測器的高壓電源。
CH1和CH2用于Ge半導體探測器，額定功率高達+5000V（或-5000V）。
CH3和CH4用于BaF2閃爍檢測器，最大額定值為-4000V。
兩者都使用SHV連接器。
（5）VME電源機箱
它是VME標準的7插槽電源機架。
AC 100 V，最大300 W.
為每個模塊供電。
 

除上述內容外，還需要以下東西。
·BaF2閃爍檢測器
·Ge半導體探測器
·PC（應用程序執行）
·交換集線器（PC和每個模塊用于LAN電纜連接）

2、測量模式（有5種測量模式）
（1）時間壽命模式
壽命（LT）模式是同時測量兩個BaF 2閃爍檢測器的模式，采用兩個波形的上升之間的時間差，并進行正電子壽命測量。
　　

（2）波形模式
波形模式測量來自兩個BaF 2閃爍探測器的波形。

（3）能量模式
能量模式是用于測量來自兩個Ge半導體探測器的能譜的模式。

（4）CDB（雙探頭符合多普勒擴展譜）模式
CDB模式是一種采用兩個Ge半導體檢測器的重合計數的方式，通過每個峰值計算正電子湮滅符合計數多普勒擴展。

 
（5）AMOC(正電子壽命-動量關聯譜）模式
AMOC模式是通過采用兩個BaF 2閃爍檢測器和一個Ge半導體檢測器的重合計數來測量正電子壽命 - 動量相關性的模式。

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