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        新聞詳情

        天碩工業(yè)級M.2 NVMe SSD固態(tài)硬盤主控控制顆粒全景科普

        http://www.kblhh.cn 2025-07-10 15:31 來源:天碩

        天碩G55 Pro M.2 NVMe工業(yè)級SSD以自研PCIe Gen3x4主控+100%純國產(chǎn)元器件實現(xiàn)了3600MB/s高速讀取,-55℃~85℃的超寬溫域穩(wěn)定運行;以硬件級PLP掉電與固件協(xié)同保護全盤,支持智能軟銷毀功能。天碩(TOPSSD)工業(yè)級固態(tài)硬盤滿足工業(yè)級抗振耐沖擊標準,擁有200萬小時+ MTBF高可靠認證及GJB2017體系背書,精準契合國產(chǎn)化存儲對高性能、高可靠、高耐用的嚴苛需求。

        本文將帶你了解固態(tài)硬盤(SSD)的基本構(gòu)成。

        什么是SSD?

        固態(tài)硬盤(Solid State Drive; SSD)是當(dāng)前主流的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備。與傳統(tǒng)機械硬盤(HDD)依賴旋轉(zhuǎn)磁盤和磁頭進行機械讀寫不同,SSD憑借其無機械部件、高速讀寫、強抗震性等特點,在工業(yè)自動化、高頻作業(yè)等嚴苛環(huán)境中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。 它利用半導(dǎo)體閃存為介質(zhì)存儲數(shù)據(jù),將所有數(shù)據(jù)以二進制的0和1形式保存在盤內(nèi)。

        SSD的基本構(gòu)成

        一張固態(tài)硬盤主要由三個部件構(gòu)成:主控芯片、緩存(通常是DRAM)和閃存顆粒(NAND Flash)。主機的數(shù)據(jù)從接口進入后,首先會到達主控芯片。主控會根據(jù)一張名為邏輯地址到物理地址的映射表(Flash Translation Layer; FTL)來決定數(shù)據(jù)的存儲位置。這張映射表通常被存儲在緩存中。決定好位置后,主控會通過多條高速通道將數(shù)據(jù)分發(fā)到各個閃存顆粒。數(shù)據(jù)最終會被寫入到閃存顆粒中微小的基本存儲單元:浮柵晶體管。

        1.主控芯片

        主控芯片是整張固態(tài)硬盤的大腦,它能夠通過若干條通道并行操作多塊閃存顆粒。現(xiàn)代主控普遍采用ARM或RISC架構(gòu)處理器,其性能取決于制造工藝、核心數(shù)量及頻率。在SSD運行過程中,它主要執(zhí)行以下功能:數(shù)據(jù)調(diào)度、數(shù)據(jù)糾錯、磨損均衡、垃圾回收。

        當(dāng)主機指令通過SATA或PCIe接口傳入時,主控會對指令進行分析,并通過FTL映射表將邏輯地址轉(zhuǎn)換為物理地址。這一過程依賴高效算法的支持:數(shù)據(jù)糾錯方面,LDPC ECC已成為主流,其硬判決(硬件加速)和軟判決(軟件計算)結(jié)合的雙重機制能有效應(yīng)對閃存誤碼率上升問題。磨損均衡(Wear Leveling) 確保所有閃存區(qū)塊均勻擦寫;垃圾回收(GC) 則主動清理無效數(shù)據(jù)塊以緩解“寫放大”問題。

        2.緩存

        雖然名為緩存,但緩存并不承擔(dān)寫入數(shù)據(jù)的職責(zé),其核心使命是承載FTL映射表,實現(xiàn)納秒級尋址。映射表由主控在寫入數(shù)據(jù)時記錄,并被分為數(shù)據(jù)池和空閑池。數(shù)據(jù)池記錄有效數(shù)據(jù)的地址,空閑池記錄空閑塊的地址。

        當(dāng)主控收到命令,需要讀取數(shù)據(jù)時,就會根據(jù)映射表來執(zhí)行操作。當(dāng)主機頻繁讀寫4K小文件時,DRAM可避免主控反復(fù)訪問閃存查詢地址,將隨機讀寫延遲降低10倍以上。

        3.閃存顆粒

        閃存顆粒是SSD真正存儲數(shù)據(jù)的地方,其本質(zhì)是浮柵晶體管陣列。每個晶體管通過浮柵層囚禁或釋放電子表征0/1的數(shù)據(jù):寫入時高壓注入電子,擦除時高壓抽離電子,讀取時則通過檢測源-漏極間電流判斷狀態(tài)。

        按存儲單元(Cell)的電荷狀態(tài)密度,顆粒類型劃分為四類,直接決定SSD的壽命、性能與成本:

        SLC(Single-Level Cell):每單元存儲1比特,僅需區(qū)分2種電壓狀態(tài);因此,擦寫壽命最長,單位容量成本最高;

        MLC(Multi-Level Cell):每單元存儲2比特,需區(qū)分4種電壓狀態(tài);性能與成本折中;

        TLC(Triple-Level Cell):每單元存儲3比特,需區(qū)分8種電壓狀態(tài);是當(dāng)前市場的主流選擇;

        QLC(Quad-Level Cell):每單元存儲4比特,需區(qū)分16種電壓狀態(tài);單位容量成本最低,但緩存用盡后寫入速度可能下降,隨機性能衰減顯著。

        由此可見,閃存顆粒的種類與數(shù)量決定了固態(tài)硬盤(SSD)理論上的容量天花板。然而,主控的優(yōu)劣,則直接影響到SSD在實際使用中能否滿血釋放閃存的理論潛力,或者因性能瓶頸、延遲、穩(wěn)定性、壽命折損等問題而難以企及其上限。

        天碩(TOPSSD)堅定自主創(chuàng)新戰(zhàn)略,其產(chǎn)品搭載自主研發(fā)的主控芯片,長江存儲的原廠閃存顆粒,長鑫DDR4緩存,實現(xiàn)了全盤純國產(chǎn)。通過擁有“大腦”的核心話語權(quán),天碩SSD精準驅(qū)動每一顆閃存顆粒發(fā)揮極致效能,確保用戶能獲得穩(wěn)定、高速、可靠、持久的數(shù)據(jù)存儲體驗。

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