2025年1月10日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NCP5156x芯片的雙通道隔離驅(qū)動(dòng)IC評(píng)估板方案。

圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的雙通道隔離驅(qū)動(dòng)IC評(píng)估板方案的展示板圖

在緊湊尺寸下實(shí)現(xiàn)高功率密度，已成為當(dāng)前工業(yè)電源設(shè)計(jì)的核心目標(biāo)。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，工程師必須考慮設(shè)計(jì)的各個(gè)方面。在這種背景下，大聯(lián)大世平基于onsemi NCP5156x芯片推出雙通道隔離驅(qū)動(dòng)IC評(píng)估板方案，旨在通過(guò)出色的隔離性能、高效的驅(qū)動(dòng)能力以及便捷的評(píng)估環(huán)境，縮短電源產(chǎn)品的設(shè)計(jì)周期。

圖示2-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的雙通道隔離驅(qū)動(dòng)IC評(píng)估板方案的場(chǎng)景應(yīng)用圖

NCP5156x系列是onsemi推出的一款隔離式雙通道閘極驅(qū)動(dòng)器，具備4.5A/9A的拉電流和灌電流峰值，專(zhuān)為快速開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和SiC設(shè)計(jì)。NCP5156x系列提供短且匹配的傳播延遲，獨(dú)立的5kVRMS內(nèi)部電流隔離輸入到每個(gè)輸出以及兩者之間的內(nèi)部功能隔離輸出驅(qū)動(dòng)器，允許工作電壓高達(dá)1500VDC。另外，此驅(qū)動(dòng)器具有極高的靈活性，可配置為兩個(gè)低側(cè)開(kāi)關(guān)、兩個(gè)高側(cè)開(kāi)關(guān)，或帶有可編程死區(qū)時(shí)間的半橋驅(qū)動(dòng)器。通過(guò)ENA/DIS引腳，用戶(hù)可以輕松地在ENABLE和DISABLE模式中分別設(shè)置為高電平或低電平，從而同時(shí)啟用或禁用兩個(gè)輸出。

除此之外，NCP5156x還提供其他重要的保護(hù)功能，例如閘極驅(qū)動(dòng)器和死區(qū)（Dead Zone）的獨(dú)立欠壓鎖定時(shí)間調(diào)整功能。

圖示3-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的雙通道隔離驅(qū)動(dòng)IC評(píng)估板方案的方塊圖

隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，業(yè)內(nèi)對(duì)此類(lèi)高性能的隔離驅(qū)動(dòng)IC需求將不斷增長(zhǎng)。未來(lái)，大聯(lián)大世平將繼續(xù)與onsemi等全球先進(jìn)的半導(dǎo)體供應(yīng)商緊密合作，不斷推出更多創(chuàng)新、實(shí)用的解決方案，滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)高效電源產(chǎn)品的設(shè)計(jì)需求。

核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)：

onsemi NCP5156x驅(qū)動(dòng)IC具有以下技術(shù)優(yōu)勢(shì)：

設(shè)計(jì)彈性?xún)?yōu)（Flexible）可用于雙低側(cè)、雙高側(cè)或半橋閘極驅(qū)動(dòng)；

兩個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)器均具有獨(dú)立的UVLO保護(hù)；

輸出電源電壓范圍為6.5V至30V，其中驅(qū)動(dòng)電壓5V、8V用于一般MOSFET、13V和17V用于SiC MOSFET；

4.5A峰值拉電流（Sink）、9A峰值灌電流（Source）輸出；

共模瞬態(tài)抗擾度CMTI >200V/ns；

傳播延遲典型值為36ns；

每個(gè)通道有5ns最大延遲匹配，5ns最大脈寬失真；

使用者可程式輸入邏輯通過(guò)ANB的單輸入或雙輸入模式（僅限NCP51561/563）啟用或停用模式；

3V至5.0V VDD電源范圍，最高30V VCCA/VCCB電源范圍；

4.5A和9A拉電流/灌電流驅(qū)動(dòng)能力；

TTL相容輸入；

允許輸入電壓高達(dá)18V，適用于INA、INB、和ANB腳位；

用于死區(qū)時(shí)間的板載微調(diào)電位器程式設(shè)計(jì)；

用INA、INB和ENA/DIS的3位接頭引腳；

2位接頭，用于ANB引腳；

支持MOSFET和SiC半橋測(cè)試；

連接到外部功率級(jí)的MOSFET，輸入電壓為600VDC- 800VDC（最大可允許900VDC）。

方案規(guī)格：

電源電壓：輸入側(cè)VDD 3.0V（最?。﹡ 5.0V（最大）；

電源電壓—驅(qū)動(dòng)器側(cè)如下可選：

5V UVLO版本VCCA、VCCB：6.5V（最小）~30V（最大）；

8V UVLO版本VCCA、VCCB：9.5V（最?。﹡30V（最大）；

13V UVLO版本VCCA、VCCB：14.5V（最?。﹡30V（最大）；

17V UVLO版本VCCA、VCCB：18.5V（最?。﹡30V（最大）；

INA、INB和ANB引腳上的邏輯輸入電壓VIN：0V（最?。﹡ 18V（最大）；

ENA/DIS VEN腳位上的邏輯輸入電壓：0V（最小）~5.0V（最大）；

操作溫度Tj：－40°C（最?。﹡＋125°C（最大）。