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Vishay的采用延展型SO-6封裝的新款 IGBT和MOSFET驅(qū)動器實現(xiàn)緊湊設計、快速開關和高壓

器件峰值輸出電流高達4 A，工作溫度高達+125 °C，傳播延遲低至200 ns

http://www.kblhh.cn 2024-10-24 09:22 來源：Vishay

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款采用緊湊、高隔離延展型SO-6封裝的最新IGBT和MOSFET驅(qū)動器---VOFD341A和VOFD343A。Vishay VOFD341A和VOFD343A的峰值輸出電流分別達3 A和4 A，工作溫度高達+125 C，傳播延遲低至200 ns。

今天發(fā)布的光耦合器包含一個AlGaAs LED（該LED通過光學耦合方式連接到具有功率輸出級的集成電路，用于太陽能逆變器和微逆變器）、交流和無刷直流工業(yè)電機控制逆變器，以及用于UPS中交流/直流轉換的逆變級。器件非常適合直接驅(qū)動額定值達1200 V / 100 A的IGBT。

VOFD341A和VOFD343A支持的工作溫度高，這為更緊湊的設計提供了更高的溫度安全裕量，而器件的高峰值輸出電流無需額外的驅(qū)動級即可實現(xiàn)更快開關。器件的傳播延遲低，可將開關損耗降至最低程度，同時有助于進行更精確的PWM調(diào)節(jié)。

光耦合器的高隔離封裝可支持高達1140 V的高工作電壓，因此可用于高壓逆變級，同時仍能保持足夠的電壓安全裕量。這些器件符合RoHS規(guī)范，可支持高達50 kV/µs的抗擾，從而防止在快速開關功率級中出現(xiàn)下降函數(shù)。

VOFD341A和VOFD343A現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，訂貨周期為六周。

Vishay的采用延展型SO-6封裝的新款 IGBT和MOSFET驅(qū)動器實現(xiàn)緊湊設計、快速開關和高壓

器件峰值輸出電流高達4 A，工作溫度高達+125 °C，傳播延遲低至200 ns

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