2025年3月6日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）XMC1404 MCU、IMBG65R048M1H CoolSiC™ MOSFET、IPDQ60R010S7 CoolMos™ MOSFET以及2EDS9259X柵極驅(qū)動IC的3.3KW雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案。

圖示1-大聯(lián)大品佳基于Infineon產(chǎn)品的3.3KW雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案的展示板圖

隨著AI技術(shù)的快速發(fā)展和能源結(jié)構(gòu)的深刻變革，家用儲能系統(tǒng)、便攜儲能以及AI Server市場正迎來快速增長浪潮。據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2023年，全球家用儲能系統(tǒng)市場銷售額達(dá)到87.4億美元，預(yù)計2029年將達(dá)到498.6億美元，年復(fù)合增長率（CAGR）為33.68%。同時，便攜儲能市場在經(jīng)歷一段爆發(fā)式增長后，現(xiàn)已步入穩(wěn)定增長階段，預(yù)計將在2027年突破900億元大關(guān)。此外，AI Server市場的持續(xù)擴張也催生了對高功率服務(wù)器電源的強烈需求。面對這些新興應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展，傳統(tǒng)開關(guān)電源在“體積、重量、效率”方面難以滿足市場需求。為此，大聯(lián)大品佳基于Infineon XMC1404 MCU、IMBG65R048M1H CoolSiC™ MOSFET、IPDQ60R010S7 CoolMos™ MOSFET以及2EDS9259X柵極驅(qū)動IC推出3.3KW雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案。

圖示2-大聯(lián)大品佳基于Infineon產(chǎn)品的3.3KW雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案的場景應(yīng)用圖

方案主控采用Infineon XMC1404 MCU基于ARM® Cortex®-M0處理器內(nèi)核，主頻為48MHz，具有高速處理能力。該MCU利用電流內(nèi)環(huán)+電壓外環(huán)雙環(huán)數(shù)字控制，開關(guān)頻率可達(dá)100KHz。在安全機制方面，產(chǎn)品配置短路、過流、欠壓、過壓等保護(hù)功能，并預(yù)留UART通信接口，可滿足電機控制和數(shù)字功率轉(zhuǎn)換的實時控制需求。

方案主回路采用CoolSiC™ MOSFET IMBG65R048M1H作為圖騰柱PFC高頻開關(guān)管，以及CoolMos™ MOSFET IPDQ60R010S7作為低頻開關(guān)管，搭配2EDS9259X系列作為驅(qū)動，具有卓越的能效比與可靠性。

圖示3-大聯(lián)大品佳基于Infineon產(chǎn)品的3.3KW雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案的方塊圖

除此之外，方案還配備一個可插拔的輔助電源模塊，該模塊基于Infineon旗下QR-Flyback IC ICE5QSBG，搭配CoolMos™ MOSFET IPN70R360P7S，可為MCU、柵極驅(qū)動和風(fēng)扇等模塊供電。

借助這些出色的器件，本方案實現(xiàn)3.3KW 100KHz全數(shù)字雙向電源系統(tǒng)，該系統(tǒng)集成高效能、高密度的連續(xù)導(dǎo)電模式（CCM）圖騰柱無橋功率因數(shù)校正（TP PFC）變換器，支持110Vac至265Vac的寬范圍輸入電壓，并能穩(wěn)定輸出400V的直流電壓，其功率因數(shù)高達(dá)0.99，峰值效率可達(dá)98.5%，性能表現(xiàn)出色。

核心技術(shù)優(yōu)勢：

高功率密度、高效率、高功率因數(shù)；

基于英飛凌ARM® Cortex® M0 MCU XMC1404為核心，全數(shù)字控制；

控制精度高，充分發(fā)揮XMC1404的優(yōu)勢，采用雙環(huán)路數(shù)字控制，開關(guān)頻率可達(dá)100KHz，超高分辨率PWM（150ps）；

主回路、輔助電源、主控板模塊化程度高，提高產(chǎn)品設(shè)計靈活度。

方案規(guī)格：

輸入電壓：110Vac~265Vac；

輸出電壓：400Vdc（額定值），穩(wěn)態(tài)紋波＜5V（負(fù)載100%）；

最大輸出功率：3.3KW（160Vac~265Vac）、1.6KW（110Vac~150Vac）；

開關(guān)頻率：100KHz；

峰值效率：>98.5% @ 50%負(fù)載；

iTHD：<5@230Vac &負(fù)載 >20%；

功率因數(shù)：>0.99 @ 230Vac & 負(fù)載>20%；

外觀尺寸：208mm×88mm×45mm。