全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出業(yè)界首款面向DDR5寄存雙列直插式內(nèi)存模塊（RDIMM）的第六代（Gen6）寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（RCD）。這款全新RCD率先實(shí)現(xiàn)了9600兆傳輸/秒（MT/s）的數(shù)據(jù)速率，超越當(dāng)前行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。與瑞薩第五代（Gen5）RCD 8800MT/s的性能相比，本次突破實(shí)現(xiàn)了大幅提升，為數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的內(nèi)存接口性能樹(shù)立了全新標(biāo)桿。

瑞薩第六代DDR5 RCD的關(guān)鍵特性

帶寬較瑞薩第五代RCD提升10%（9600MT/s vs 8800MT/s）

向后兼容第五代平臺(tái)：提供無(wú)縫升級(jí)路徑

增強(qiáng)信號(hào)完整性與能效：支持AI、HPC，及LLM工作負(fù)載

擴(kuò)展的決策反饋均衡架構(gòu)：提供八個(gè)Taps和1.5mV精度的電壓調(diào)整，實(shí)現(xiàn)卓越的裕量調(diào)諧

決策引擎信號(hào)遙測(cè)與裕量調(diào)節(jié)（DESTM）：改進(jìn)系統(tǒng)級(jí)診斷功能可提供實(shí)時(shí)信號(hào)質(zhì)量指示、裕量可視化以及診斷反饋，以支持更高速度運(yùn)行

新型DDR5 RDIMM旨在滿(mǎn)足人工智能（AI）、高性能計(jì)算（HPC），及其它數(shù)據(jù)中心應(yīng)用對(duì)帶寬日益增長(zhǎng)的需求。瑞薩在新型RDIMM的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)與部署過(guò)程中發(fā)揮關(guān)鍵作用，協(xié)同包括CPU和內(nèi)存供應(yīng)商等在內(nèi)的行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，及終端客戶(hù)開(kāi)展了深度合作。憑借在信號(hào)完整性與功耗優(yōu)化領(lǐng)域的深厚積淀，瑞薩已位于DDR5 RCD領(lǐng)域的前沿。

Sameer Kuppahalli, Vice President of Memory Interface Division at Renesas表示：“生成式AI的爆發(fā)式增長(zhǎng)推動(dòng)了系統(tǒng)芯片核心數(shù)量的激增，進(jìn)而將內(nèi)存帶寬與容量的需求推向前所未有的高度，成為數(shù)據(jù)中心性能的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。第六代DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器充分彰顯出瑞薩致力于內(nèi)存接口創(chuàng)新、開(kāi)拓前沿技術(shù)，并提供滿(mǎn)足市場(chǎng)需求解決方案的堅(jiān)定承諾。”

Indong Kim, VP of DRAM Product Planning, Samsung Electronics表示：“三星與瑞薩在多代內(nèi)存接口組件領(lǐng)域保持著緊密合作，包括成功完成Gen5 DDR5 RCD和PMIC 5030的認(rèn)證。如今，我們很高興將Gen6 RCD集成至DDR5 DIMM中，覆蓋多個(gè)SoC平臺(tái)，以滿(mǎn)足AI、HPC，及其它內(nèi)存密集型工作負(fù)載日益增長(zhǎng)的需求。”

供貨信息

RRG5006x第六代RCD專(zhuān)為滿(mǎn)足下一代服務(wù)器平臺(tái)的嚴(yán)苛要求而設(shè)計(jì)，具備卓越的性能、可靠性，與可擴(kuò)展性。目前，瑞薩已開(kāi)始向包括所有主流DRAM供應(yīng)商在內(nèi)的特定客戶(hù)開(kāi)放全新RRG5006x RCD樣品，預(yù)計(jì)于2027年上半年啟動(dòng)量產(chǎn)。有關(guān)瑞薩內(nèi)存接口解決方案的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：www.renesas.com/ddr5。如需獲取新款RCD的詳細(xì)資料，請(qǐng)發(fā)送電子郵件至：mid@lm.renesas.com。

瑞薩亮相SC25展會(huì)

瑞薩將于11月16日至21日在美國(guó)圣路易斯舉辦的SC25大會(huì)上展示其內(nèi)存接口解決方案，展位號(hào)為#4101。