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        新聞詳情

        大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi產品的IC評估板方案

        http://www.kblhh.cn 2025-12-09 14:53 來源:大聯(lián)大世平集團

        2025年12月9日,致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下世平推出基于安森美(onsemi)NCP5156x芯片的雙通道隔離驅動IC評估板方案。

        圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi產品的IC評估板方案的展示板圖

        當前,新能源及工業(yè)驅動市場正面臨高功率密度與高可靠性要求的雙重挑戰(zhàn)。隨著碳化硅等寬禁帶半導體技術的普及,高頻應用帶來的開關損耗、電磁干擾及安全隔離問題日益凸顯。大聯(lián)大世平基于onsemi NCP5156x芯片推出雙通道隔離驅動IC評估板方案,憑借其4.5A/9A的強大驅動能力和5kVRMS的高等級電氣隔離性能,有效提升了系統(tǒng)的開關效率與運行穩(wěn)定性。

        圖示2-大聯(lián)大世平基于onsemi產品的IC評估板方案的場景應用圖

        NCP5156x是onsemi旗下一款高性能雙通道隔離柵極驅動器,專為驅動功率MOSFET和SiC MOSFET的快速開關應用而優(yōu)化。該器件具備4.5A拉電流和9A灌電流的峰值驅動能力,能夠有效滿足高頻開關應用對驅動強度的嚴苛需求。

        NCP5156x具有卓越的時序特性,其傳播延遲短且通道間匹配度高,有助于提升系統(tǒng)效率并減少開關損耗。在安全隔離方面,器件提供了輸入與輸出之間高達5kVRMS的電氣隔離強度,并支持高達1500VDC的工作電壓,為高壓應用場景提供可靠保障。

        該驅動器支持靈活的配置方式,可適配多種拓撲結構,包括兩個低側驅動、兩個高側驅動或帶可編程死區(qū)時間的半橋驅動。通過ENA/DIS引腳可實現(xiàn)雙通道的啟用或停用控制,簡化了系統(tǒng)管理。此外,NCP5156x還集成了完善的保護功能,包括獨立的柵極驅動器欠壓鎖定(UVLO)和可調節(jié)的死區(qū)時間控制,進一步增強系統(tǒng)的可靠性和安全性。

        針對5kVRMS隔離需求,評估板采用NCP51561高性能隔離雙通道柵極驅動器,為功率器件提供穩(wěn)定可靠的驅動支持。設計指南詳盡囊括操作流程、接口定義、電路原理圖、PCB布局規(guī)范及完整物料清單(BOM),助力工程師快速完成系統(tǒng)設計與驗證。評估板全面支持NCP51561xyDWR2G、NCV51561xyDWR2G、NCP51560xyDWR2G、NCP51563xyDWR2G和NCV51563xyDWR2G等多個系列芯片的性能評估。

        圖示3-大聯(lián)大世平基于onsemi產品的IC評估板方案的的方塊圖

        為針對光伏逆變器、電動汽車驅動、工業(yè)電機及云服務器電源等高壓應用場景,評估板提供了完整的技術解決方案。它集成了高性能隔離驅動與完善的保護機制,可有效應對高頻開關損耗、電磁干擾及安全隔離等設計挑戰(zhàn)。通過提供經(jīng)過驗證的參考設計、優(yōu)化布局方案及完整物料清單,顯著降低研發(fā)門檻,助力客戶加速產品上市進程,為高可靠性功率系統(tǒng)提供技術支撐。

        核心技術優(yōu)勢:

            設計靈活性好:可用于雙低側、雙高側或半橋閘極驅動:

            兩個輸出驅動器均具有獨立的UVLO保護;

            輸出電源電壓范圍為6.5V至30V,其中驅動電壓5V、8V用于一般MOSFET、13V和17V用于SiC MOS;

            4.5A峰值拉電流(Sink)、9A峰值灌電流(Source)輸出;

            共模瞬態(tài)抗擾度CMTI >200V/ns;

            傳播延遲典型值為36ns。

            每個通道有5ns最大延遲匹配,5ns最大脈寬失真:

            使用者可程式輸入邏輯通過ANB的單輸入或雙輸入模式(僅限NCP51561/563)啟用或停用模式;

            3V至5.0V VDD電源范圍,最高30V VCCA/VCCB電源范圍;

            4.5A和9A拉電流/灌電流驅動能力;

            TTL兼容輸入;

            允許輸入電壓高達18V,適用于INA、INB、和ANB腳位;

            用于死區(qū)時間的板載微調電位器程式設計;

            用于INA、INB和ENA/DIS的3位接頭引腳;

            2位接頭,用于ANB引腳;

            支持MOSFET和SiC半橋測試。

            連接到外部功率級MOSFET,輸入電壓:600V-800VDC(最大允許900VDC)。

        方案規(guī)格:

            電源電壓:輸入側VDD 3.0V(最小)-5.0V(最大);

            電源電壓:驅動器側如下可選:

            b1:5V UVLO版本VCCA、VCCB:6.5V(最小)-30V(最大);

            b2:8V UVLO版本VCCA、VCCB:9.5V(最小)-30V(最大);

            b3:13V UVLO版本VCCA、VCCB:14.5V(最小)-30V(最大);

            b4:17V UVLO版本VCCA、VCCB:18.5V(最小)-30V(最大);

            INA、INB和ANB接腳上的邏輯輸入電壓VIN:0V(最小)-18V(最大);

            ENA/DIS VEN腳位上的邏輯輸入電壓:0V(最小)-5.0V(最大);

            工作溫度Tj:−40℃(最小)-+125℃(最大)。

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