全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，開發(fā)出100V耐壓的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服務(wù)器的48V電源熱插拔電路*2以及需要電池保護(hù)的工業(yè)設(shè)備電源等應(yīng)用的理想之選。

RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預(yù)計該尺寸產(chǎn)品未來需求將不斷增長，可以輕松替代現(xiàn)有產(chǎn)品。另外，新產(chǎn)品同時實現(xiàn)了更寬SOA范圍*3（條件：VDS=48V、Pw＝1ms/10ms）和更低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）*4，由此既可確保熱插拔（電源啟動）工作時的更高產(chǎn)品可靠性，又能優(yōu)化電源效率，降低功耗并減少發(fā)熱量。

為了兼顧服務(wù)器的穩(wěn)定運行和節(jié)能，熱插拔電路必須具有較寬的SOA范圍，以承受大電流負(fù)載。特別是AI服務(wù)器的熱插拔電路，與傳統(tǒng)服務(wù)器相比需要更寬的SOA范圍。RY7P250BM的SOA在脈寬10ms時可達(dá)16A、1ms時也可達(dá)50A，實現(xiàn)業(yè)界超優(yōu)性能，能夠應(yīng)對以往MOSFET難以支持的高負(fù)載應(yīng)用。

RY7P250BM是具有業(yè)界超寬SOA范圍的MOSFET，并且實現(xiàn)了更低導(dǎo)通電阻，從而大幅降低了通電時的功率損耗和發(fā)熱量。具有寬SOA范圍的普通8×8mm尺寸100V耐壓MOSFET的導(dǎo)通電阻絕大多數(shù)約為2.28mΩ，而RY7P250BM的導(dǎo)通電阻則降低了約18%——僅有1.86mΩ（條件：VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃）。這種低導(dǎo)通電阻有助于提升服務(wù)器電源的效率、減輕冷卻負(fù)荷并降低電力成本。

與此同時，RY7P250BM還被全球知名云平臺企業(yè)認(rèn)證為推薦器件，預(yù)計未來將在AI服務(wù)器領(lǐng)域得到更廣泛的應(yīng)用。在注重可靠性與節(jié)能的服務(wù)器領(lǐng)域中，RY7P250BM更寬SOA范圍與更低導(dǎo)通電阻的平衡在云應(yīng)用中得到了高度好評。

新產(chǎn)品已經(jīng)暫以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)（樣品價格800日元/個，不含稅）。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），后道工序的生產(chǎn)基地為OSAT（泰國）。另外，新產(chǎn)品已經(jīng)開始通過電商進(jìn)行銷售，通過電商平臺均可購買。

未來，ROHM將繼續(xù)擴大適用于服務(wù)器和工業(yè)設(shè)備48V電源的產(chǎn)品陣容，通過提供效率高且可靠性高的解決方案，為建設(shè)可持續(xù)ICT基礎(chǔ)設(shè)施和節(jié)能貢獻(xiàn)力量。

＜開發(fā)背景＞

隨著AI技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心的負(fù)載急劇增加，服務(wù)器功耗也逐年攀升。特別是隨著配備生成式AI和高性能GPU的服務(wù)器日益普及，如何兼顧進(jìn)一步提升電力效率和支持大電流這兩個相互沖突的需求，一直是個難題。在此背景下，相較傳統(tǒng)12V電源系統(tǒng)具有更高轉(zhuǎn)換效率的48V電源系統(tǒng)正在加速擴大應(yīng)用。另外，在服務(wù)器運行狀態(tài)下實現(xiàn)模塊更換的熱插拔電路中，需要兼具更寬SOA范圍和更低導(dǎo)通電阻的MOSFET，以防止浪涌電流*5和過載時造成損壞。新產(chǎn)品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同時具備業(yè)界超寬SOA范圍和超低導(dǎo)通電阻，有助于降低數(shù)據(jù)中心的功率損耗、減輕冷卻負(fù)荷，從而提升服務(wù)器的可靠性并實現(xiàn)節(jié)能。

＜產(chǎn)品主要特性＞

＜應(yīng)用示例＞

・AI（人工智能）服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的48V系統(tǒng)電源熱插拔電路

・工業(yè)設(shè)備48V系統(tǒng)電源（叉車、電動工具、機器人、風(fēng)扇電機等）

・AGV（自動導(dǎo)引車）等電池驅(qū)動的工業(yè)設(shè)備

・UPS、應(yīng)急電源系統(tǒng)（電池備份單元）

＜電商銷售信息＞

發(fā)售時間：2025年5月起

新產(chǎn)品在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。

產(chǎn)品型號：RY7P250BM