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      新聞詳情

      ROHM首款面向高耐壓GaN器件驅(qū)動的隔離型柵極驅(qū)動器IC開始量產(chǎn)

      http://www.kblhh.cn 2025-05-28 09:24 來源:羅姆半導(dǎo)體

      全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅(qū)動的隔離型柵極驅(qū)動器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過與本產(chǎn)品組合使用,可使GaN器件在高頻、高速開關(guān)過程中實現(xiàn)更穩(wěn)定的驅(qū)動,有助于電機(jī)和服務(wù)器電源等大電流應(yīng)用進(jìn)一步縮減體積并提高效率。

      新產(chǎn)品是ROHM首款面向高耐壓GaN HEMT的隔離型柵極驅(qū)動器IC。在電壓反復(fù)急劇升降的開關(guān)工作中,使用本產(chǎn)品可將器件與控制電路隔離,從而確保信號的安全傳輸。

      新產(chǎn)品通過采用ROHM自主開發(fā)的片上隔離技術(shù),有效降低寄生電容,實現(xiàn)高達(dá)2MHz的高頻驅(qū)動。通過充分發(fā)揮GaN器件的高速開關(guān)特性,不僅有助于應(yīng)用產(chǎn)品更加節(jié)能和實現(xiàn)更高性能,還可通過助力外圍元器件的小型化來削減安裝面積。

      另外,隔離型柵極驅(qū)動器IC的抗擾度指標(biāo)——共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)*1達(dá)到150V/ns(納秒),是以往產(chǎn)品的1.5倍,可有效防止GaN HEMT開關(guān)時令人困擾的高轉(zhuǎn)換速率引發(fā)的誤動作,從而有助于系統(tǒng)實現(xiàn)穩(wěn)定的控制。最小脈沖寬度較以往產(chǎn)品縮減33%,導(dǎo)通時間縮短至僅65ns。因此,雖然頻率更高卻仍可確保最小占空比,從而可將損耗控制在更低程度。

      GaN器件的柵極驅(qū)動電壓范圍為4.5V~6.0V,絕緣耐壓為2500Vrms,新產(chǎn)品可充分激發(fā)出各種高耐壓GaN器件(包括ROHM EcoGaN™系列產(chǎn)品陣容中新增的650V耐壓GaN HEMT“GNP2070TD-Z”)的性能潛力。輸出端的消耗電流僅0.5mA(最大值),達(dá)到業(yè)界超低功耗水平,另外還可有效降低待機(jī)功耗。

      新產(chǎn)品已于2025年3月開始量產(chǎn)(樣品價格:600日元/個,不含稅)。另外,新產(chǎn)品也已開始網(wǎng)售,通過電商平臺均可購買。

      EcoGaN™是ROHM Co.,Ltd.的商標(biāo)或注冊商標(biāo)。

      <開發(fā)背景>

      在全球能源消耗逐年攀升的背景下,節(jié)能對策已成為世界各國共同面臨的課題。尤其值得注意的是,據(jù)調(diào)查“電機(jī)”和“電源”消耗的電量約占全球總用電量的97%。改善“電機(jī)”和“電源”效率的關(guān)鍵在于采用碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等新材料制造的、負(fù)責(zé)功率控制和轉(zhuǎn)換的新一代功率器件。

      ROHM充分發(fā)揮其在硅半導(dǎo)體和SiC隔離型柵極驅(qū)動器IC開發(fā)過程中積累的技術(shù)優(yōu)勢,成功開發(fā)出第一波產(chǎn)品——專為GaN器件驅(qū)動而優(yōu)化的隔離型柵極驅(qū)動器IC。未來,ROHM將配套提供GaN器件驅(qū)動用的柵極驅(qū)動器IC與GaN器件,為應(yīng)用產(chǎn)品的設(shè)計提供更多便利。

      <應(yīng)用示例>

      ◇工業(yè)設(shè)備:光伏逆變器、ESS(儲能系統(tǒng))、通信基站、服務(wù)器、工業(yè)電機(jī)等的電源

      ◇消費(fèi)電子:白色家電、AC適配器(USB充電器)、電腦、電視、冰箱、空調(diào)

      <術(shù)語解說>

      *1) 共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)

      隔離型柵極驅(qū)動器的主要參數(shù)之一,指產(chǎn)品對短時間內(nèi)發(fā)生的電壓急劇變化的耐受能力。特別是驅(qū)動GaN HEMT等轉(zhuǎn)換速率較高的器件時,容易產(chǎn)生急劇的電壓變化,通過采用CMTI性能優(yōu)異的柵極驅(qū)動器,可有效防止器件損壞,并降低電路的短路風(fēng)險。

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