全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超寬SOA*1范圍的100V耐壓功率MOSFET“RS7P200BM”。該款產(chǎn)品采用5060尺寸（5.0mm×6.0mm）封裝，非常適用于采用48V電源AI服務(wù)器的熱插拔電路*2，以及需要電池保護(hù)的工業(yè)設(shè)備電源等應(yīng)用。

RS7P200BM采用小型DFN5060-8S（5060尺寸）封裝，與ROHM在2025年5月發(fā)售的DFN8080-8S（8.0mm×8.0mm尺寸）封裝AI服務(wù)器用功率MOSFET“RY7P250BM”相比，可實(shí)現(xiàn)更高密度的安裝。

新產(chǎn)品在VDS=48V工作條件下，可確保脈沖寬度10ms時(shí)7.5A、1ms時(shí)25A的寬SOA范圍。同時(shí)，還實(shí)現(xiàn)了與之存在權(quán)衡關(guān)系的低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）*3 4.0mΩ（條件：VGS=10V、ID=50A、Ta=25℃）。通過抑制通電時(shí)的發(fā)熱，有助于提高服務(wù)器電源的效率并減輕冷卻負(fù)荷，進(jìn)而進(jìn)一步降低電力成本。

新產(chǎn)品已于2025年9月開始量產(chǎn)（樣品價(jià)格800日元/個(gè)，不含稅）。本產(chǎn)品已經(jīng)開始通過電商進(jìn)行銷售，通過電商平臺均可購買。

未來，ROHM將持續(xù)擴(kuò)充適用于AI服務(wù)器等所用的48V電源的產(chǎn)品陣容，通過提供效率高且可靠性高的解決方案，為進(jìn)一步節(jié)能和構(gòu)建可持續(xù)的ICT基礎(chǔ)設(shè)施貢獻(xiàn)力量。

＜開發(fā)背景＞    

隨著AI技術(shù)的飛速發(fā)展和普及，搭載生成式AI和高性能GPU的服務(wù)器對穩(wěn)定運(yùn)行和能效提升的需求日益增長。尤其在熱插拔電路中，能夠應(yīng)對浪涌電流*4和過負(fù)載、實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定運(yùn)行的寬SOA范圍功率MOSFET至關(guān)重要。另外，在數(shù)據(jù)中心和AI服務(wù)器領(lǐng)域，為了節(jié)能而正在加速向電源轉(zhuǎn)換效率的48V電源系統(tǒng)轉(zhuǎn)型，如何構(gòu)建與其適配的高耐壓、高效率電源電路成為當(dāng)前的技術(shù)課題。

ROHM通過推出符合市場需求的5060尺寸封裝新產(chǎn)品，進(jìn)一步強(qiáng)化適用于AI服務(wù)器熱插拔電路的100V耐壓功率MOSFET產(chǎn)品陣容。未來，ROHM將繼續(xù)致力于降低數(shù)據(jù)中心的功率損耗、減輕冷卻負(fù)荷，進(jìn)而為提升服務(wù)器系統(tǒng)的可靠性和節(jié)能性能做出貢獻(xiàn)。

＜應(yīng)用示例＞

48V系統(tǒng)AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源的熱插拔電路

48V系統(tǒng)工業(yè)設(shè)備電源（叉車、電動(dòng)工具、機(jī)器人、風(fēng)扇電機(jī)等）

AGV（自動(dòng)引導(dǎo)車）等電池驅(qū)動(dòng)的工業(yè)設(shè)備

UPS、應(yīng)急電源系統(tǒng)（電池備份單元）

＜關(guān)于EcoMOS™品牌＞

EcoMOS™是ROHM開發(fā)的Si功率MOSFET品牌，非常適用于功率元器件領(lǐng)域?qū)?jié)能要求高的應(yīng)用。

EcoMOS™產(chǎn)品陣容豐富，已被廣泛用于家用電器、工業(yè)設(shè)備和車載等領(lǐng)域。客戶可根據(jù)應(yīng)用需求，通過噪聲性能和開關(guān)性能等各種參數(shù)從產(chǎn)品陣容中選擇產(chǎn)品。

・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商標(biāo)或注冊商標(biāo)。

＜術(shù)語解說＞

*1) SOA（Safe Operating Area）

元器件不損壞且可安全工作的電壓和電流范圍。超出該安全工作區(qū)工作可能會導(dǎo)致熱失控或損壞，特別是在會發(fā)生浪涌電流和過電流的應(yīng)用中，需要考慮SOA范圍。

*2）熱插拔電路

可在設(shè)備電源運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)元器件插入或拆卸的、支持熱插拔功能的整個(gè)電路。由MOSFET、保護(hù)元件和接插件等組成，負(fù)責(zé)抑制元器件插入時(shí)產(chǎn)生的浪涌電流并提供過流保護(hù)，從而確保系統(tǒng)和所連接元器件的安全工作。

*3) 導(dǎo)通電阻（RDS(on)）

MOSFET啟動(dòng)時(shí)漏極與源極之間的電阻值。該值越小，工作時(shí)的損耗（功率損耗）越少。

*4）浪涌電流（Inrush Current）

在電子設(shè)備接通電源時(shí)，瞬間流過的超過額定電流值的大電流。因其會給電源電路中的元器件造成負(fù)荷，所以通過控制浪涌電流，可防止設(shè)備損壞并提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。