法國格勒諾布爾 - Media OutReach - 2022年3月 - Teledyne e2v半導(dǎo)體的超高密度存儲(chǔ)器DDR4的開發(fā)仍在繼續(xù)，有消息稱，宇航級(jí)正片現(xiàn)在正在運(yùn)往世界各地的關(guān)鍵客戶。這標(biāo)志著在所提供的樣品成功帶來廣泛的活動(dòng)設(shè)計(jì)和這項(xiàng)技術(shù)的采用之后，這一開創(chuàng)性項(xiàng)目向前邁出了一大步。因此，該公司現(xiàn)在正進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)階段，可提供宇航級(jí)耐輻射DDR4。

　　Teledyne e2v的DDR4s存儲(chǔ)容量為4G字節(jié)，尺寸僅為15mm x 20mm x 1.92mm，其存儲(chǔ)密度遠(yuǎn)高于競爭對手的解決方案——僅占PCB基板面的一半，體積幾乎減少了一個(gè)數(shù)量級(jí)。它們擁有高性能，并可提供2.4GT/s的數(shù)據(jù)傳輸速度。

　　每個(gè)Teledyne e2v DDR4T04G72內(nèi)存都以多芯片封裝（MCP）形式提供，具有擴(kuò)展總線功能，其中64位用于數(shù)據(jù)傳輸，另外8位用于糾錯(cuò)。DDR4T04G72是該公司自己的Qormino®處理器的最佳配套產(chǎn)品，并且與其他供應(yīng)商提供的絕大多數(shù)處理器、SOC和FPGA具有很好的兼容性。

　　對這些DDR4進(jìn)行輻射測試表明，它們的單事件鎖定（SEL）閾值大于60MeV.cm²/mg。它們的單粒子翻轉(zhuǎn)（SEU）和單粒子功能中斷（SEFI）數(shù)據(jù)也超過60MeV.cm²/mg，并且它們已經(jīng)驗(yàn)證了對100krad總離子幅射量（TID）的恢復(fù)能力。

　　Teledyne e2v的DDR4可訂購適合工業(yè)溫度范圍（-40°C至105°C）的也可訂購適合軍事溫度范圍（-55°C至125°C）的，并可達(dá)到NASA 1級(jí)（基于NASA EEE-INST-002 - Section M4 - PEMs），這意味著可以滿足更廣泛的潛在應(yīng)用。

　　“我們被視為太空應(yīng)用中高密度耐輻射存儲(chǔ)器的領(lǐng)先者，我們的技術(shù)已經(jīng)在市場上獲得了令人難以置信的好評(píng)。我們與競爭對手的不同之處在于，我們提供了全面、開放的數(shù)據(jù)包，為客戶提供了在盡可能短的時(shí)間內(nèi)開始設(shè)計(jì)和完成設(shè)計(jì)所需的一切，并隨時(shí)提供所有背景信息和專家工程支持” Teledyne e2v的營銷及業(yè)務(wù)開發(fā)經(jīng)理Thomas Guillemain表示：“我們?yōu)楹教旃I(yè)提供了可靠的緊湊型、易于連接的存儲(chǔ)器，提高了性能基準(zhǔn)。我們在下一階段的路線圖上取得了長足的進(jìn)步，其他幾代乃至更高容量的設(shè)備目前正在籌備中。”