安森美宣布推出采用行業標準T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，為汽車和工業應用的電源封裝技術帶來突破。這款新品為電動汽車、太陽能基礎設施及儲能系統等市場的高功率、高電壓應用提供增強的散熱性能、可靠性和設計靈活性。

安森美采用T2PAK封裝的650V和950V 最新EliteSiC MOSFET系列，將公司業界領先的碳化硅技術與極具創新性的頂部冷卻封裝相結合。首批器件已向主要客戶發貨，安森美計劃于2025年第四季度及之后推出更多產品。通過在EliteSiC系列全面采用T2PAK封裝，安森美為汽車與工業客戶提供了強有力的全新選擇，滿足其在嚴苛高壓應用中對效率、緊湊性和耐用性的需求。

隨著太陽能逆變器、電動汽車充電器和工業電源等應用對功率需求的不斷攀升，高效的熱管理已成為關鍵的工程挑戰。傳統封裝方式常迫使設計人員在散熱效率與開關性能之間做出取舍。EliteSiC T2PAK解決方案通過將熱量從印刷電路板（PCB）高效地直接傳導至系統冷卻架構，實現了性能與散熱的雙贏，從而帶來以下優勢：

• 卓越的熱效率，降低工作溫度

• 降低元器件應力，延長系統使用壽命

• 更高的功率密度，實現緊湊的系統設計

• 簡化系統設計，加快產品上市速度

“熱管理是當今汽車和工業市場中電力系統設計人員面臨的最關鍵挑戰之一。這些領域的功率系統設計人員正尋求兼具效率與可靠性的解決方案。憑借我們的EliteSiC技術和創新的T2PAK 頂部冷卻封裝，客戶能夠實現卓越的散熱性能和設計靈活性，助力其打造出在當今競爭格局中脫穎而出的新一代產品。”安森美碳化硅事業部副總裁兼負責人Auggie Djekic表示。

工作原理：T2PAK 頂部冷卻封裝通過將MOSFET與散熱片直接熱耦合，在散熱和開關性能之間實現了極佳平衡。該設計最大限度降低了結點至散熱片的熱阻，并支持多種導通電阻Rds(on) 選項（12mΩ - 60mΩ），從而提升設計靈活性。關鍵技術亮點包括：

• 通過將熱量直接傳導至系統散熱片，規避了PCB的散熱限制，實現卓越的散熱性能

• 保持低雜散電感，實現更快的開關速度并降低能耗

• 兼具TO-247和D2PAK封裝優勢，且無明顯缺陷

憑借EliteSiC在T2PAK頂部冷卻封裝中卓越的性能指標，設計人員能夠打造出更緊湊、散熱性能更好、且更高效率的系統。