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        搭載羅姆SiC MOSFET的舍弗勒逆變磚開始量產

        http://www.kblhh.cn 2025-09-10 09:45 來源:舍弗勒

        中國上海,2025年9月10日——全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)與德國大型汽車零部件供應商舍弗勒集團(總部位于德國赫爾佐根奧拉赫,以下簡稱“舍弗勒”)宣布,作為戰略合作伙伴關系的重要里程碑,舍弗勒開始量產搭載羅姆SiC(碳化硅)MOSFET裸芯片的新型高電壓逆變磚。這是面向中國大型汽車制造商設計的產品。

        作為電驅動總成系統的核心部件,此次采用羅姆SiC MOSFET的逆變磚,對電動汽車的效率和性能有十分顯著的作用。這款高性能逆變磚突破電動汽車牽引逆變器領域通常支持的800V電壓,可支持更高的電池電壓,并實現了650Arms的峰值電流輸出。憑借羅姆的SiC技術,該產品不僅實現了高效率和高輸出功率,還實現了產品小型化,將作為推動下一代電動汽車普及的重要產品投入市場。

        羅姆與舍弗勒(原Vitesco Technologies)自2020年起建立戰略合作伙伴關系。2023年,雙方簽署碳化硅功率器件相關的長期供應協議,增強對提升電動汽車性能至關重要的SiC芯片的供應體系。此次新產品的量產啟動,表明這種良好合作關系正在穩步取得積極成效。

        舍弗勒集團 電驅動事業部CEO 陶斯樂(Thomas Stierle)表示:“在電動出行解決方案領域,我們通過采用可擴展與模塊化的策略,成功開發出適用于從單獨部件到高集成度電驅橋的逆變磚。我們以通用平臺開發為基石,成功在短短一年內針對中國市場日益普及的X in 1架構開發出優質產品并投入量產。”

        羅姆 董事兼常務執行官 伊野 和英表示:“舍弗勒逆變磚能夠采用羅姆第4代SiC MOSFET并實現量產,我們深感榮幸。羅姆的SiC技術可顯著提升電動汽車的效率和性能,通過與舍弗勒的合作,將進一步推動汽車產業的創新與可持續發展。”

        舍弗勒集團 電驅動事業部CEO 陶斯樂(Thomas Stierle)(左)與羅姆 董事兼常務執行官 伊野 和英(右)

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