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        新聞詳情

        大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)推出兩款基于英諾賽科產(chǎn)品的48V四相2kW降壓電源方案

        http://www.kblhh.cn 2025-09-11 09:40 來(lái)源:大聯(lián)大

        2025年9月11日,致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下詮鼎推出兩款基于英諾賽科(Innoscience)InnoGaN INN100EA035A氮化鎵功率晶體管和INS2002FQ氮化鎵半橋驅(qū)動(dòng)IC的48V四相2kW降壓電源方案。

        圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科產(chǎn)品的48V四相2kW降壓電源的展示板圖

        隨著人工智能與高性能計(jì)算的爆發(fā)式增長(zhǎng),CPU/GPU的功率持續(xù)升高。為顯著降低傳輸損耗,全球服務(wù)器供電架構(gòu)正從12V向48V系統(tǒng)加速升級(jí)。然而,受限于服務(wù)器內(nèi)部的空間尺寸,傳統(tǒng)的電源方案往往需要更高的功率密度來(lái)實(shí)現(xiàn)從48V到12V的供電轉(zhuǎn)換。此背景下,大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科InnoGaN INN100EA035A氮化鎵功率器件和INS2002FQ氮化鎵半橋驅(qū)動(dòng)IC推出兩款48V四相2kW降壓電源方案,旨在為48V服務(wù)器、新能源汽車(chē)系統(tǒng)或通信模塊提供高效、可靠的電源供電。

        圖示2-大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科產(chǎn)品的48V四相2kW降壓電源的場(chǎng)景應(yīng)用圖

        與Si MOS相比,GaN具有出色的開(kāi)關(guān)特性,且開(kāi)關(guān)損耗更低。因此能夠?qū)崿F(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效率,并提升開(kāi)關(guān)頻率,同時(shí)減小磁性器件尺寸和濾波電容體積,進(jìn)而提高功率密度。此次大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科產(chǎn)品推出的兩款方案均采用四相交錯(cuò)Buck拓?fù)洌肯嗍褂?顆100V氮化鎵半橋驅(qū)動(dòng)IC INS2002FQ和4顆100V雙面散熱的低壓氮化鎵功率晶體管INN100EA035A進(jìn)行功率傳輸。

        INN100EA035A采用雙面散熱En-FCLGA封裝技術(shù),這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)顛覆了傳統(tǒng)的單冷卻封裝熱管理方式,可有效降低器件的工作結(jié)溫。并且該產(chǎn)品具備超低導(dǎo)通電阻,能大幅降低能量損耗,是實(shí)現(xiàn)高功率密度方案的關(guān)鍵所在。

        INS2002FQ采用英諾賽科自研的FCQFN 3mm×3mm封裝,專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)GaN而設(shè)計(jì),其集成自舉與BST鉗位電路,支持獨(dú)立上拉和下拉輸出引腳,可分別調(diào)節(jié)開(kāi)通和關(guān)斷速度。并且器件也支持三態(tài)PWM輸入,可靈活調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間,實(shí)現(xiàn)低延遲、高驅(qū)動(dòng)能力,非常適合高功率和高頻率的應(yīng)用場(chǎng)合。

        圖示3-大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科產(chǎn)品的48V四相2kW降壓電源的方塊圖

        兩款解決方案分別采用雙耦合/四耦合電感設(shè)計(jì)。這種設(shè)計(jì)將傳統(tǒng)Buck方案中的分立電感替換為低耦合系數(shù)的耦合電感,可有效降低電感紋波電流,同時(shí)減少電感和電容體積,有助于提升系統(tǒng)功率密度,實(shí)現(xiàn)靈活的拓展功能。在40Vdc-60Vdc輸入、12V/167A輸出的條件下,兩款方案的最大輸出功率為2000W。其中采用雙耦合電感設(shè)計(jì)的峰值效率為98%@1200W,滿載效率為97.6%@2000W;采用四耦合電感的峰值效率為98.1%@1000W,滿載效率為97.7%@2000W。與市面上具有出色性能的Si MOSFET相比,兩款方案的峰值效率和滿載效率均提升1%以上。

        核心技術(shù)優(yōu)勢(shì):

        四相交錯(cuò)Buck拓?fù)洌鷳B(tài)成熟,拓展性靈活;

        效率超98%,峰值效率和滿載效率均比出色的Si MOSFET高1%以上;

        高開(kāi)關(guān)頻率、高功率密度,且大幅降低能耗,滿載無(wú)風(fēng)條件下,器件熱點(diǎn)溫度比出色的Si MOSFET低15度以上。

        方案規(guī)格:

        輸入電壓:48V;

        輸入欠壓保護(hù):39V;

        輸入過(guò)壓保護(hù):63V;

        輸出電壓:12V;

        輸出過(guò)壓保護(hù):15V;

        輸出限流:200A;

        輸出功率:2000W;

        開(kāi)關(guān)頻率:250KHz;

        滿載效率:97.62%。

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