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      新聞詳情

      Vishay Gen 3 650 V和1200 V SiC肖特基二極管在提高效率的同時增強電絕緣性

      這些1 A和2 A器件采用小尺寸SlimSMA HV (DO-221AC)封裝,提供了低電容電荷和3.2 mm的較大最小爬電距離

      http://www.kblhh.cn 2025-07-29 11:36 來源:Vishay

      日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出三款采用超小尺寸薄型SlimSMA HV(DO-221AC)封裝的全新第三代 650 V和1200 V碳化硅(SiC)肖特基二極管---2 A的 VS-3C02EJ07-M3和1 A 的VS-3C01EJ12-M3以及2 A的VS-3C02EJ12-M3。這些器件采用合并PIN肖特基(MPS)設(shè)計,最小爬電距離為3.2 mm,融合低電容電荷與溫度不變的開關(guān)特性等優(yōu)點,可提高高速硬開關(guān)電源設(shè)計的效率。

      對于高壓應(yīng)用,Vishay日前發(fā)布的器件的高爬電距離增強了電絕緣性能,而其SlimSMA HV封裝采用CTI  600的模制化合物,以確保出色的電絕緣性。對于空間受限的設(shè)計,這些二極管厚度僅為0.95 mm,而具有類似封裝尺寸的SMA和SMB封裝競品的厚度為2.3 mm。

      與硅二極管不同,VS-3C01EJ12-M3、VS-3C02EJ07-M3和VS-3C02EJ12-M3在任何溫度下都能保持低至7.2 nC的低容性電荷,從而加快開關(guān)速度,降低功率損耗,提高高頻應(yīng)用的效率。此外,這些器件幾乎沒有恢復(fù)尾電流,從而進(jìn)一步提高了效率,而其MPS結(jié)構(gòu)可降低正向壓降至1.30 V。

      VS-3C01EJ12-M3、VS-3C02EJ07-M3和VS-3C02EJ12-M3的工作溫度高達(dá)+175 C,其典型應(yīng)用包括服務(wù)器電源中使用的DC/DC和AC/DC轉(zhuǎn)換器的自舉二極管、防并聯(lián)二極管和PFC二極管;發(fā)電和存儲系統(tǒng);工業(yè)驅(qū)動器和工具;以及X射線發(fā)生器。這些器件具有正溫度系數(shù),便于在這些應(yīng)用中實現(xiàn)并聯(lián)。

      這些二極管符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無鹵素,濕度靈敏度等級為1,符合J-STD-020標(biāo)準(zhǔn),并滿足JESD 201第二類whisker 測試要求。

      新款SiC二極管現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為14周。

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