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未來10年閃存將發展到盡頭 3D內存接班
http://www.kblhh.cn 2008-07-29 13:54 來源：CNET中國
SanDisk認為，未來10年閃存將發展到盡頭，3D內存技術將成為閃存的接班人。
SanDisk上周表示，由于閃存具有局限性，它的發展未來將走到盡頭，SanDisk希望3D讀寫內存能夠成為替代產品，這種技術是由SanDisk2005年收購的Matrix半導體公司開發。
3D內存芯片將內存陣列從橫向排列改為縱向排列，從而能夠垂直存儲更多數據。
SanDisk總裁兼首席運營官Sanjay Mehrotra上周表示：“SanDisk正在開發3D讀寫內存，我們認為這種產品在未來10年將代替NAND閃存。”
SanDisk已經宣布和東芝合作開發3D內存。
SanDisk主席兼首席執行官Eli Harari說，自從收購了Matrix后，他們在3D內存開發方面取得了不小的進步，目前，圍繞這種技術，SanDisk已經取得了200多項專利。
不過SanDisk發言人Michael Wong 說，3D內存取代閃存還有很長一段路要走。
SanDisk上周表示，由于閃存具有局限性，它的發展未來將走到盡頭，SanDisk希望3D讀寫內存能夠成為替代產品，這種技術是由SanDisk2005年收購的Matrix半導體公司開發。
3D內存芯片將內存陣列從橫向排列改為縱向排列，從而能夠垂直存儲更多數據。
SanDisk總裁兼首席運營官Sanjay Mehrotra上周表示：“SanDisk正在開發3D讀寫內存，我們認為這種產品在未來10年將代替NAND閃存。”
SanDisk已經宣布和東芝合作開發3D內存。
SanDisk主席兼首席執行官Eli Harari說，自從收購了Matrix后，他們在3D內存開發方面取得了不小的進步，目前，圍繞這種技術，SanDisk已經取得了200多項專利。
不過SanDisk發言人Michael Wong 說，3D內存取代閃存還有很長一段路要走。
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