東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新^[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。三款器件于今日開始支持批量出貨。

三款新產(chǎn)品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封裝相比，可將器件體積銳減80%以上，并提升設(shè)備功率密度。

此外，TOLL封裝還具有比通孔封裝更小的寄生阻抗^[2]，從而降低開關(guān)損耗。作為一款4引腳^[3]封裝，支持對其柵極驅(qū)動的信號源端子進(jìn)行開爾文連接。這減少封裝內(nèi)部源極線電感的影響，實現(xiàn)高速開關(guān)性能；在TW048U65C的外殼中，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品^[5]相比，其開通損耗降低約55%，關(guān)斷損耗降低約25%^[4]，有助于降低設(shè)備功耗。

未來東芝將繼續(xù)擴大其SiC功率器件產(chǎn)品線，為提高設(shè)備效率和增加功率容量做出貢獻(xiàn)。

第3代SiC MOSFET封裝產(chǎn)品線

測量條件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH、Rg（外部柵極電阻）＝4.7Ω

續(xù)流二極管采用各產(chǎn)品源極及漏極間的二極管。（東芝截至2025年8月的比較）

圖1：TO-247與TOLL封裝的導(dǎo)通損耗（Eon）和關(guān)斷損耗（Eoff）比較

• 應(yīng)用：

• 服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等中的開關(guān)電源
• 電動汽車充電站
• 光伏逆變器
• 不間斷電源

• 特性：

• 表面貼裝TOLL封裝，實現(xiàn)設(shè)備小型化和自動化組裝，低開關(guān)損耗
• 東芝第3代SiC MOSFET

• 通過優(yōu)化漂移電阻與溝道電阻比，實現(xiàn)漏源導(dǎo)通電阻的良好溫度依賴性
• 低漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷
• 低二極管正向電壓：V_DSF＝–1.35V（典型值）（V_GS＝–5V）

• 主要規(guī)格：

（除非另有說明，Ta＝25°C）