全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅動的隔離型柵極驅動器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過與本產(chǎn)品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開關過程中實現(xiàn)更穩(wěn)定的驅動，有助于電機和服務器電源等大電流應用進一步縮減體積并提高效率。

新產(chǎn)品是ROHM首款面向高耐壓GaN HEMT的隔離型柵極驅動器IC。在電壓反復急劇升降的開關工作中，使用本產(chǎn)品可將器件與控制電路隔離，從而確保信號的安全傳輸。

新產(chǎn)品通過采用ROHM自主開發(fā)的片上隔離技術，有效降低寄生電容，實現(xiàn)高達2MHz的高頻驅動。通過充分發(fā)揮GaN器件的高速開關特性，不僅有助于應用產(chǎn)品更加節(jié)能和實現(xiàn)更高性能，還可通過助力外圍元器件的小型化來削減安裝面積。

另外，隔離型柵極驅動器IC的抗擾度指標——共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）*1達到150V/ns（納秒），是以往產(chǎn)品的1.5倍，可有效防止GaN HEMT開關時令人困擾的高轉換速率引發(fā)的誤動作，從而有助于系統(tǒng)實現(xiàn)穩(wěn)定的控制。最小脈沖寬度較以往產(chǎn)品縮減33%，導通時間縮短至僅65ns。因此，雖然頻率更高卻仍可確保最小占空比，從而可將損耗控制在更低程度。

GaN器件的柵極驅動電壓范圍為4.5V～6.0V，絕緣耐壓為2500Vrms，新產(chǎn)品可充分激發(fā)出各種高耐壓GaN器件（包括ROHM EcoGaN™系列產(chǎn)品陣容中新增的650V耐壓GaN HEMT“GNP2070TD-Z”）的性能潛力。輸出端的消耗電流僅0.5mA（最大值），達到業(yè)界超低功耗水平，另外還可有效降低待機功耗。

新產(chǎn)品已于2025年3月開始量產(chǎn)（樣品價格：600日元/個，不含稅）。另外，新產(chǎn)品也已開始網(wǎng)售，通過電商平臺均可購買。

EcoGaN™是ROHM Co.,Ltd.的商標或注冊商標。

＜開發(fā)背景＞

在全球能源消耗逐年攀升的背景下，節(jié)能對策已成為世界各國共同面臨的課題。尤其值得注意的是，據(jù)調查“電機”和“電源”消耗的電量約占全球總用電量的97%。改善“電機”和“電源”效率的關鍵在于采用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等新材料制造的、負責功率控制和轉換的新一代功率器件。

ROHM充分發(fā)揮其在硅半導體和SiC隔離型柵極驅動器IC開發(fā)過程中積累的技術優(yōu)勢，成功開發(fā)出第一波產(chǎn)品——專為GaN器件驅動而優(yōu)化的隔離型柵極驅動器IC。未來，ROHM將配套提供GaN器件驅動用的柵極驅動器IC與GaN器件，為應用產(chǎn)品的設計提供更多便利。

＜應用示例＞

◇工業(yè)設備：光伏逆變器、ESS（儲能系統(tǒng)）、通信基站、服務器、工業(yè)電機等的電源

◇消費電子：白色家電、AC適配器（USB充電器）、電腦、電視、冰箱、空調

＜術語解說＞

*1) 共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）

隔離型柵極驅動器的主要參數(shù)之一，指產(chǎn)品對短時間內發(fā)生的電壓急劇變化的耐受能力。特別是驅動GaN HEMT等轉換速率較高的器件時，容易產(chǎn)生急劇的電壓變化，通過采用CMTI性能優(yōu)異的柵極驅動器，可有效防止器件損壞，并降低電路的短路風險。