華盛頓3月19日電 美國國家標準和技術研究院（NIST）研究人員日前表示，他們成功地尋找到了將由半導體材料組成的微電子電路與以復合有機分子材料組成的器件相連接的途徑。在新出版的美國化學學會雜志上，研究人員撰文說，他們將有機分子單層結構組裝到普通微電子硅基底上，獲得了半導體和有機分子組成的電阻。 
　　 
　　據稱，這種技術同樣以硅為基底，與工業標準互補型金屬氧物半導體晶體管（CMOS）生產技術相兼容，為未來CMOS/分子混合器件電路的制造鋪平了道路，而該混合器件電路將是COMS之后即將出現的全分子技術的基礎或前身。  

　　NIST研究小組首先發現，他們采用新創技術能夠將高質量的有機分子單層組裝到工業CMOS制造中常見的硅切面上。通過外延光譜分析，研究人員證實了自己的研究成果。  

　　隨后，研究人員利用相同的技術研制出了簡單但具有工作能力的分子電子器件———電阻。他們用碳原子鏈組成單層結構，每條碳原子鏈的端點與硫原子相系，并將原子鏈放入硅基底上的深度為100納米的小井中，然后用一層金屬銀封住井口，同時井上端形成頂部電接觸點。他們表示，金屬銀不會取代碳原子鏈組成的單層結構，也不會阻礙單層結構發揮正常功能。  

　　據悉，研究人員共研制出了兩個分子電子器件，每個器件具有不同長度的碳原子鏈。正如所預期的那樣，兩個器件在測試中均成功地表現出了電阻的作用，同時碳原子鏈更長的器件其電阻更大。研究人員還證明它們顯示了非線性電阻的性能。  

　　研究人員表示，他們下步目標是制造一個CMOS/分子混合電路，以證明分子電子原件能夠與當今的微電子技術協調工作。