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Vishay推出具有低直流偏壓特性和低介質損耗因子（DF）的一類瓷介徑向引線高壓直插瓷片電容

這些器件可降低工業和醫療應用中高壓發生器的功率損耗

http://www.kblhh.cn 2025-09-10 13:48 來源：Vishay

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列一類瓷介徑向引線高壓直插瓷片電容---HVCC一類瓷介電容器系列，該系列產品具有低介質損耗因子（DF）和低直流偏壓的特性，適用于工業和醫療應用。

Vishay Roederstein HVCC一類瓷介電容器系列在15 kV條件下的電容變化低于25 %，僅為二類瓷介電容器的一半。此外，這些器件在1 kHz 時的介質損耗因子值小于1.0 %，比二類瓷介電容器低0.5%。使得其在行李安檢機、醫療和工業X射線、空氣凈化器和離子發生器以及脈沖激光器等應用的高壓發生器電路中的功率損耗更低，且可靠性更高。

HVCC一類瓷介電容器系列的電容值范圍為100 pF至1 nF，標準容差為± 10 %，額定工作電壓為15 kVDC，工作溫度范圍為-30 °C至+85 °C。該電容由鍍銀陶瓷瓷片和鍍錫銅包鋼連接引腳組成，可選引腳直徑有0.65 mm和0.80 mm兩個規格。該電容符合RoHS標準，提供直引腳封裝，引腳間距有9.5 mm和12.5 mm兩個規格，采用符合UL 94 V-0標準的阻燃環氧樹脂材料密封封裝。

HVCC一類瓷介電容器系列現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為12周。

Vishay推出具有低直流偏壓特性和低介質損耗因子（DF）的一類瓷介徑向引線高壓直插瓷片電容

這些器件可降低工業和醫療應用中高壓發生器的功率損耗

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