隨著電子設(shè)備微型化，工業(yè)級應用的嚴苛環(huán)境所帶來的振動、沖擊、極端溫度循環(huán)等挑戰(zhàn)，時刻威脅著電子器件的穩(wěn)定。天碩(TOPSSD)深知工業(yè)存儲的可靠性之重要，為天碩G55 Pro M.2 NVMe SSD采用側(cè)邊填充技術(shù)，其與天碩超寬溫技術(shù)、三防涂層等協(xié)同作用，共同建構(gòu)了高可靠的防護體系，確保產(chǎn)品在智能制造、能源等場景中的長效穩(wěn)定運行。

天碩G55 Pro M.2 NVMe工業(yè)級固態(tài)硬盤以自研PCIe Gen3x4主控+100%純國產(chǎn)元器件實現(xiàn)了3600MB/s高速讀取，-55℃~85℃的超寬溫域穩(wěn)定運行；以硬件級PLP掉電與固件協(xié)同保護全盤，支持智能軟銷毀功能。產(chǎn)品設(shè)計滿足工業(yè)級抗振耐沖擊標準，擁有200萬小時+ MTBF高可靠認證及GJB2017體系背書，精準契合國產(chǎn)化存儲對高性能、高可靠、高耐用的嚴苛需求。

側(cè)邊填充是什么？

固態(tài)硬盤的焊點一旦因應力而脫落或斷裂，將直接失效，造成不可估量的損失。側(cè)邊填充（Sidefill）技術(shù)，便是工業(yè)級固態(tài)硬盤針對該問題的重要加固工藝。它通過在采用 BGA（球柵陣列）封裝的芯片的側(cè)面，涂抹環(huán)氧樹脂來增強PCB板和焊點之間的連接，從而抵抗振動、沖擊和熱應力。具體來說，側(cè)邊填充通過以下方式發(fā)揮作用：

增強焊點強度: 在芯片的兩側(cè)涂抹樹脂，能顯著增強PCB電路板與焊球之間連接點的結(jié)構(gòu)強度。

提高抗振抗沖擊性能: 側(cè)邊填充的樹脂能夠有效吸收、分散傳遞到焊點的沖擊能量，極大降低焊點因疲勞或瞬間應力導致的脫落或斷裂風險。

降低熱應力影響: 在溫度變化時，不同材料的熱膨脹系數(shù)差異會導致熱應力。側(cè)邊填充的樹脂可以緩解這些應力，降低熱沖擊對SSD的影響，延長其使用壽命。

在工業(yè)應用中，劇烈的溫度變化和頻繁的振動沖擊難以避免。側(cè)邊填充技術(shù)所解決的痛點，正是工業(yè)場景的核心關(guān)切。

天碩工業(yè)級SSD側(cè)邊填充的優(yōu)勢

天碩工業(yè)級固態(tài)硬盤的側(cè)邊填充技術(shù)通過精密工藝與系統(tǒng)性設(shè)計，實現(xiàn)了防護性、可維護性與工業(yè)適配性的高效統(tǒng)一。

在工藝層面，天碩團隊采用高精度填膠設(shè)備。相比覆蓋芯片底部的傳統(tǒng)填充技術(shù)，側(cè)邊填充僅處理邊緣區(qū)域，不僅固化更快、重量更輕，還保留了維修可行性，兼顧了生產(chǎn)效率與后期維護的靈活性。填充完成后，天碩會通過紫外光對樹脂進行可控熱固化，確保其快速均勻反應并優(yōu)化粘接強度與彈性。最后實施多重質(zhì)檢，嚴格驗證防護層可靠性后才會進入后續(xù)工序。

側(cè)邊填充技術(shù)為天碩G55 Pro M.2 NVMe SSD提供了難以比擬的物理屏障，顯著增強其抵抗振動、沖擊及熱應力的能力，尤其適用于軌道交通、航空航天等嚴苛環(huán)境。