安森美宣布推出采用行業(yè)標準T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，為汽車和工業(yè)應用的電源封裝技術(shù)帶來突破。這款新品為電動汽車、太陽能基礎設施及儲能系統(tǒng)等市場的高功率、高電壓應用提供增強的散熱性能、可靠性和設計靈活性。

安森美采用T2PAK封裝的650V和950V 最新EliteSiC MOSFET系列，將公司業(yè)界領(lǐng)先的碳化硅技術(shù)與極具創(chuàng)新性的頂部冷卻封裝相結(jié)合。首批器件已向主要客戶發(fā)貨，安森美計劃于2025年第四季度及之后推出更多產(chǎn)品。通過在EliteSiC系列全面采用T2PAK封裝，安森美為汽車與工業(yè)客戶提供了強有力的全新選擇，滿足其在嚴苛高壓應用中對效率、緊湊性和耐用性的需求。

隨著太陽能逆變器、電動汽車充電器和工業(yè)電源等應用對功率需求的不斷攀升，高效的熱管理已成為關(guān)鍵的工程挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)封裝方式常迫使設計人員在散熱效率與開關(guān)性能之間做出取舍。EliteSiC T2PAK解決方案通過將熱量從印刷電路板（PCB）高效地直接傳導至系統(tǒng)冷卻架構(gòu)，實現(xiàn)了性能與散熱的雙贏，從而帶來以下優(yōu)勢：

• 卓越的熱效率，降低工作溫度

• 降低元器件應力，延長系統(tǒng)使用壽命

• 更高的功率密度，實現(xiàn)緊湊的系統(tǒng)設計

• 簡化系統(tǒng)設計，加快產(chǎn)品上市速度

“熱管理是當今汽車和工業(yè)市場中電力系統(tǒng)設計人員面臨的最關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一。這些領(lǐng)域的功率系統(tǒng)設計人員正尋求兼具效率與可靠性的解決方案。憑借我們的EliteSiC技術(shù)和創(chuàng)新的T2PAK 頂部冷卻封裝，客戶能夠?qū)崿F(xiàn)卓越的散熱性能和設計靈活性，助力其打造出在當今競爭格局中脫穎而出的新一代產(chǎn)品。”安森美碳化硅事業(yè)部副總裁兼負責人Auggie Djekic表示。

工作原理：T2PAK 頂部冷卻封裝通過將MOSFET與散熱片直接熱耦合，在散熱和開關(guān)性能之間實現(xiàn)了極佳平衡。該設計最大限度降低了結(jié)點至散熱片的熱阻，并支持多種導通電阻Rds(on) 選項（12mΩ - 60mΩ），從而提升設計靈活性。關(guān)鍵技術(shù)亮點包括：

• 通過將熱量直接傳導至系統(tǒng)散熱片，規(guī)避了PCB的散熱限制，實現(xiàn)卓越的散熱性能

• 保持低雜散電感，實現(xiàn)更快的開關(guān)速度并降低能耗

• 兼具TO-247和D2PAK封裝優(yōu)勢，且無明顯缺陷

憑借EliteSiC在T2PAK頂部冷卻封裝中卓越的性能指標，設計人員能夠打造出更緊湊、散熱性能更好、且更高效率的系統(tǒng)。