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Vishay推出具有低直流偏壓特性和低介質(zhì)損耗因子（DF）的一類瓷介徑向引線高壓直插瓷片電容

這些器件可降低工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用中高壓發(fā)生器的功率損耗

http://www.kblhh.cn 2025-09-10 13:48 來源：Vishay

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列一類瓷介徑向引線高壓直插瓷片電容---HVCC一類瓷介電容器系列，該系列產(chǎn)品具有低介質(zhì)損耗因子（DF）和低直流偏壓的特性，適用于工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用。

Vishay Roederstein HVCC一類瓷介電容器系列在15 kV條件下的電容變化低于25 %，僅為二類瓷介電容器的一半。此外，這些器件在1 kHz 時的介質(zhì)損耗因子值小于1.0 %，比二類瓷介電容器低0.5%。使得其在行李安檢機、醫(yī)療和工業(yè)X射線、空氣凈化器和離子發(fā)生器以及脈沖激光器等應(yīng)用的高壓發(fā)生器電路中的功率損耗更低，且可靠性更高。

HVCC一類瓷介電容器系列的電容值范圍為100 pF至1 nF，標(biāo)準容差為± 10 %，額定工作電壓為15 kVDC，工作溫度范圍為-30 °C至+85 °C。該電容由鍍銀陶瓷瓷片和鍍錫銅包鋼連接引腳組成，可選引腳直徑有0.65 mm和0.80 mm兩個規(guī)格。該電容符合RoHS標(biāo)準，提供直引腳封裝，引腳間距有9.5 mm和12.5 mm兩個規(guī)格，采用符合UL 94 V-0標(biāo)準的阻燃環(huán)氧樹脂材料密封封裝。

HVCC一類瓷介電容器系列現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為12周。

Vishay推出具有低直流偏壓特性和低介質(zhì)損耗因子（DF）的一類瓷介徑向引線高壓直插瓷片電容

這些器件可降低工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用中高壓發(fā)生器的功率損耗

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